可逆电阻率切换元件的分步软编程制造技术

公开了用于形成、复位和设置存储器单元的方法和系统。要应用于具有可逆电阻率切换元件的存储器单元的一个或多个编程条件可以基于其电阻确定。确定一个或多个编程条件还可以基于预定算法，该预定算法可以基于存储器单元的属性。该一个或多个编程条件可以包括编程电压和电流限制。例如，编程电压的幅度可以基于电阻。作为另一例子，编程电压脉冲的宽度可以基于电阻。在一些实施例中，基于存储器单元电阻确定在编程期间使用的电流限制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及非易失性数据存储的技术。
技术介绍
各种材料显示出可逆的电阻率切换行为，这样可以适合用于存储器元件。具有可逆电阻率切换行为的一种类型的材料被称为电阻改变存储器(ReRAM)。已经提出过渡金属氧化物用于ReRAM。在施加足够的电压、电流或者其他激励时，可逆电阻率切换材料切换到稳定的低电阻状态，这有时被称为设置器件。此电阻率切换是可逆的，以便随后施加适当的 电压、电流或者其他激励可以用于将该可逆电阻率切换材料返回到稳定的高电阻状态，这有时被称为复位器件。此转换可以重复许多次。低电阻状态有时被称为“开启(on)”状态。高电阻状态有时被称为“关闭(off)”状态。对于一些切换材料，初始状态是低电阻状态而不是闻电阻。关心这些切换材料在非易失性存储器阵列中的使用。一种类型的存储器阵列被称为交叉点阵列，其是通常沿着X轴(例如字线)并沿着I轴(例如位线)布置的存储器元件的矩阵。数字值可以存储为存储器电阻(高或低)。可以通过向连接到所选存储器元件的位线和字线提供适当的电压来读取存储器单元的存储器状态。电阻或存储器状态可以作为连接到所选存储器单元的位线的输出电压被读取。例如，一个电阻状态可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：XC科斯塔，R朔伊尔莱恩，A班迪奥派迪亚，B勒，X李，T杜，CR格拉，
申请(专利权)人：桑迪士克三D有限责任公司，
类型：
国别省市：