【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于将单晶半导体层转移到支承衬底上的方法以及由该方法所获得的结构。
技术介绍
Smart Cut 方法是本领域中所熟知的用于将半导体层转移到支承衬底上，尤其是用于加工绝缘体上半导体(SeOI)结构，尤其是绝缘体上硅(SOI)结构的方法。该结构从它们的底部朝向它们的表面(S卩，它们的有源部分)依次包括支承衬底、隐埋介电层(通常为隐埋氧化物，或BOX)和从被称为施主衬底的衬底转移的被称为有源层的半导体层。 一般地说，Smart-Cut 方法可以用于将层从施主衬底转移至支承衬底。Smart-Cut 方法一般包括以下步骤I)在施主衬底中形成脆化区，以便对施主衬底中构成待被转移的半导体层的表面层进行限定；2)将施主衬底键合在支承衬底上；当希望形成SeOI结构时，至少一个所述衬底覆盖有待形成BOX的介电层；3)将能量提供给施主衬底，以便使它沿脆化区断裂，从而实现将半导体层转移到支承衬底上；4)必要时，根据其使用通过对被转移半导体进行抛光、腐蚀、退火等来进行精加工。通常，脆化区通过在施主衬底中注入原子物种来形成。注入可以仅仅涉及一个物种(例如，氢)，但也可以同时或依次注...
【技术保护点】
一种将单晶半导体层（3）转移到支承衬底（1）上的方法，包括以下连续步骤：a）将物种注入被称为施主衬底的衬底（31）中，以便在所述施主衬底（31）中形成脆化区（32），所述脆化区（32）限定待被转移的单晶层（3）；b）将所述施主衬底（31）键合至所述支承衬底（1）；c）使所述施主衬底（31）在脆化区（32）断裂，以便将所述层（3）转移到所述支承衬底（1）上；d）移除被转移单晶层的表面部分；所述方法的特征在于，其还包括以下步骤：使所述待被转移的单晶层（3）的第一部分（34）变为非晶，而不用打乱所述单晶层（3）的第二部分（35）的晶格，所述第一部分和第二部分（34、35）分别为所...
【技术特征摘要】
2011.07.28 FR 11/568851.一种将单晶半导体层(3)转移到支承衬底(I)上的方法，包括以下连续步骤 a)将物种注入被称为施主衬底的衬底(31)中，以便在所述施主衬底(31)中形成脆化区(32)，所述脆化区(32)限定待被转移的单晶层(3)； b )将所述施主衬底(31)键合至所述支承衬底(I); c)使所述施主衬底(31)在脆化区(32)断裂，以便将所述层(3)转移到所述支承衬底(I)上； d)移除被转移单晶层的表面部分； 所述方法的特征在于，其还包括以下步骤 使所述待被转移的单晶层(3)的第一部分(34)变为非晶，而不用打乱所述单晶层(3)的第二部分(35)的晶格，所述第一部分和第二部分(34、35)分别为所述单晶层(3)中相对于注入方向的表面部分和隐埋部分，在执行步骤d)中的移除单晶层的表面部分之后，所述第一部分(34)的厚度大于被转移单晶层(3’)的厚度； 所述单晶层(3)的所述第一非晶部分(34)再结晶，所述第二部分(35)的晶格用作再结晶的籽晶，所述再结晶在低于500°C的温度下执行。2.根据权利要求I所述的将单晶半导体层(3)转移到支承衬底(I)上的方法，其中在注入步骤a)之前执行所述单晶层(3)的所述第一部分(34)的非晶化。3.根据权利要求I所述的将单晶半导体层(3)转移到支承衬底(I)上的方法，其中在注入步骤a)之后执行所述单晶层(3)的所述第一部分(34)的非晶化。4.根据权利要求I所述的将单晶半导体层(3)转移到支承衬底(I)上的方法，其中在转移步骤c)之后执行所述单晶层(3)的所述第一部分的非晶化。5.根据权利要求I至4中任一项所述的将单晶半导体层(3)转移到支承衬底(I)上的方法，其中所述非晶化包括在所述第一部分(34)中注入原子数量大于或等于单晶层(3)的半导体材料的原子数量的原子物种。6.根据权利要求5所述的将单晶半导体层(3)转移到支承衬底(I)上的方法，其中所述单晶层(3)的所述半导体材料为硅并且用于所述第...
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