一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法及装置制造方法及图纸

一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1.对单晶硅表面做化学清洗并刻蚀钝化，得到硅衬底；步骤2.将Bi2Se3化合物和硅衬底分别放置于管式炉石英管中心区和第一管口，密封石英管并抽真空；步骤3.加热石英管中心区；步骤4.从石英管的第二管口通入惰性载气，开始生长薄膜；步骤5.薄膜生长完成后，停止通入氩气及加热，待石英管温度冷却后，再通入保护气充满石英管后，取出样品。及一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的装置。本发明专利技术所述的在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法及装置，采用物理气相输运沉积装置在常见的Si衬底上制备Bi2Se3单晶薄膜，操作简单、成本低廉，能制备出高质量的外延单晶薄膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法，其特征在于，包含如下步骤：步骤1.对单晶硅表面做化学清洗并刻蚀钝化，得到硅衬底；步骤2.将Bi2Se3蒸发源(12)和硅衬底(13)分别放置于管式炉石英管中心区和第一管口(14)，密封石英管并抽真空；使其内部压降低于5帕；步骤3.加热石英管中心区；使中心区温度达到550?600摄氏度；管口温度达到200?250摄氏度；步骤4.从石英管的第二管口(15)通入惰性载气，开始生长薄膜；步骤5.薄膜生长完成后，停止通入氩气及加热，待石英管温度冷却后，再通入保护气充满石英管后，取出样品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李含东，高磊，李辉，王高云，罗思源，任武洋，艾远飞，巫江，周志华，王志明，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：