一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)将硫化锌粉末、单晶ZnO衬底放入双温区管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入保护气体；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品。该方法操作简单、可控性强、重复性高，制备的ZnO/ZnS异质结薄膜具有优良的异质外延结构，在光电探测器、太阳能电池、光催化等领域具有重要的研究价值和广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，该方法包括以下步骤：(1)将硫化锌粉末、单晶ZnO衬底放入双温区管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入保护气体；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品。该方法操作简单、可控性强、重复性高，制备的ZnO/ZnS异质结薄膜具有优良的异质外延结构，在光电探测器、太阳能电池、光催化等领域具有重要的研究价值和广泛的应用前景。【专利说明】
本专利技术涉及半导体材料
。更具体地，涉及一种在单晶ZnO上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法。
技术介绍
ZnO和ZnS都是重要的I1-VI族直接带隙半导体材料。ZnO的能隙宽度为3.37eV,在室温下具有光致发光效应，还拥有较高的热稳定性和较强的抗辐射损伤能力，这些特性使ZnO在紫外光探测和发射、表面声波器件、太阳能电池、气敏湿敏传感器件等诸多领域得到广泛的应用；ZnS有立方和六方两种晶相，其禁带宽度分别为3.72eV(立方相结构)和 3.77eV(六方相结构)，由于能带特性，ZnS薄膜具有优良的光电性能，适合替代有毒的CdS作为CIGS薄膜太阳能电池的缓冲层或窗口材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)取ZnS粉末放入容器中，然后将容器放在管式炉的高温加热区；2)将ZnO衬底放在管式炉的低温加热区；3)管式炉抽真空，充入保护气体；4)管式炉升温，待反应结束后使管式炉自然降温；5)取出产物，ZnO衬底上生长了一层均匀平整的ZnS薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟祥敏，王磊，黄兴，夏静，黄奔，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11