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本发明公开了一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)将硫化锌粉末、单晶ZnO衬底放入双温区管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入保护气体；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。

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