截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法技术

一种截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法，包括如下步骤：步骤1：在截面为多边形的晶棒上，选取一个平行于晶棒轴向的柱面作为表面取向标识的第一特征；步骤2：在具有第一特征的柱面上沿着晶棒轴向平行于棱边制做一个微型沟槽，作为表面取向标识的第二特征，将晶棒切片，制作成多边形衬底片；步骤3：利用第一特征和第二特征的组合，对多边形衬底片的表面取向进行标识，完成对晶棒及衬底片表面取向的标识。本发明专利技术具有简单可靠、易于实现的优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，包括如下步骤：步骤1：在截面为多边形的晶棒上，选取一个平行于晶棒轴向的柱面作为表面取向标识的第一特征；步骤2：在具有第一特征的柱面上沿着晶棒轴向平行于棱边制做一个微型沟槽，作为表面取向标识的第二特征，将晶棒切片，制作成多边形衬底片；步骤3：利用第一特征和第二特征的组合，对多边形衬底片的表面取向进行标识，完成对晶棒及衬底片表面取向的标识。本专利技术具有简单可靠、易于实现的优点。【专利说明】
本专利技术属于半导体
，特别是指在应用于外延生长的方形及多边形衬底片的制作过程中，用于标识晶棒及衬底片表面取向的一种方法。
技术介绍
以II1-V族氮化镓(GaN)为代表的氮化物半导体材料，在紫外/蓝绿光发光二极管(LED)、激光器(LD)、光电探测器及高频/高温大功率电力电子器件等诸多领域有着重要而广泛的应用。目前外延所使用的衬底材料除了蓝宝石衬底片、碳化硅衬底片、单晶硅衬底片和氮化镓衬底片外，氧化锌衬底片、氧化镓衬底片和氮化铝衬底片等的制作工艺也正在逐步成熟。衬底片的形状除了传统上使用的标准圆形衬底片，目前开发研究方形、六边形等多边形底片来替代圆形衬底片，以提高填充率进而提高设备单运行周期内的产出。在外延生长工艺过程中，为了材料的晶格匹配对使用的衬底片有严格的表面取向的要求。尤其在衬底片的研磨、抛光、清洗及包装等工艺过程中，通常情况下衬底片的正面和背面的加工特性是不同的，所有每个工序都要正确区分衬底片的正面和背面。现在通常使用的方法是在多边形截面上选取两个棱角，将棱角切除得到两条长度不同的切边，以这两个切边作为标识特征来标识表面取向。但是当两条切边长度差别不大的时候，这种表面取向标识的识别度将降低。给后续工艺过程造成很大困难，导致成品率和生产效率的下降。所以，发展一种简单可靠、易于实现的用于截面为方形及多边形晶棒和衬底片表面取向标识的方法，势在必行。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于。该方法简单可靠、易于实现。本专利技术提供一种，包括如下步骤:步骤1:在截面为多边形的晶棒上，选取一个平行于晶棒轴向的柱面作为表面取向标识的第一特征；步骤2:在具有第一特征的柱面上沿着晶棒轴向平行于棱边制做一个微型沟槽，作为表面取向标识的第二特征，将晶棒切片，制作成多边形衬底片；步骤3:利用第一特征和第二特征的组合，对多边形衬底片的表面取向进行标识，完成对晶棒及衬底片表面取向的标识。本专利技术的有益效果是，在截面为多边形的晶棒及衬底片的加工工艺过程中，能够有效区分多边形晶棒的头部和尾部，能够有效避免衬底片正面与背面的识别错误，提高工作效率和产成品成品率；在外延工艺过程中，能够准确可靠的识别衬底片的表面取向提高生产的良率。【专利附图】【附图说明】为进一步说明本专利技术的具体
技术实现思路
以下结合实施例及附图详细说明如后，其中:图1是本专利技术的流程图；图2是在正六边形截面晶棒制作第一特征和第二特征的结构示意图。【具体实施方式】请参阅图1及图2所示，本专利技术提供一种，包括如下步骤:步骤1:在截面为多边形的晶棒20上，选取一个平行于晶棒轴向的柱面作为表面取向标识的第一个特征21，所述的多边形晶棒20是蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化镓、氧化锌、或硅单晶棒；所述多边形晶棒20的截面为方形或六边形，作为第一特征21的平行于晶棒轴向的柱面为任何一个柱面；步骤2:在具有第一个特征21的柱面上沿着晶棒20轴向平行于棱边制做一个微型沟槽，作为表面取向标识的第二个特征22，将晶棒切片，制作成多边形衬底片。作为第二特征22的微型沟槽的位置为不在具有第一特征21柱面的对分中心线上的任意位置，作为第二特征22的微型沟槽的形状为V型或半圆型；步骤3:利用第一特征21和第二特征22的各种形态的组合，对多边形衬底片的表面取向进行标识，完成对晶棒及衬底片表面取向的标识。在本实施例中，我们选用半圆形沟槽作为第二特征22，对正六边形截面的氧化镓晶棒及衬底片进行标识制作和衬底片表面取向识别。首先我们选取检验合格的正六边形截面的氧化镓晶棒一根20，按照技术要求制作晶棒头部端平面和尾部端平面。将晶棒头部朝上直立置于稳固的工作平台上，选取任意棱柱面作为第一特征21，使其面向自己胸前；用记号笔在其上靠近左手边棱边的位置做一条平行于棱边的直线，这是第二特征沟槽22的制作位置。将标记好的氧化镓晶棒置于磨床工件平台，使用半圆型磨削刀具，在标记位置加工出半圆型沟槽，这样就完成了第二特征22的制作。由第一特性柱面21和第二特征沟槽22即构成了对于晶棒的完整的表面取向标识。带有第一特征21和第二特征22的晶棒经过切割即得到衬底片，使用本方法制备的衬底片同样也具有第一特征21和第二特征22，可以清楚标识晶片的表面取向。取任意一锭使用本方法制作完成的氧化镓晶棒置于工作平台上，旋转氧化镓晶棒使带有沟槽的柱面21朝向自己胸前，翻转氧化镓晶棒使沟槽22位于自己左手边，这样氧化嫁晶棒的上表面必定是氧化嫁晶棒的头部。取任意一片衬底片置于工作平台上，旋转衬底片使带有沟槽缺口的边21朝向自己胸前，翻转衬底片使沟槽缺口 22位于自己左手边，这样衬底片的上表面必定是衬底片的正表面。以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种，包括如下步骤: 步骤1:在截面为多边形的晶棒上，选取一个平行于晶棒轴向的柱面作为表面取向标识的第一特征； 步骤2:在具有第一特征的柱面上沿着晶棒轴向平行于棱边制做一个微型沟槽，作为表面取向标识的第二特征，将晶棒切片，制作成多边形衬底片； 步骤3:利用第一特征和第二特征的组合，对多边形衬底片的表面取向进行标识，完成对晶棒及衬底片表面取向的标识。2.根据权利要求1所述的，其中所述的多边形晶棒是蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化镓、氧化锌、或硅单晶棒。3.根据权利要求2所述的截面多为边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法，其中所述多边形晶棒的截面为方形或六边形。4.根据权利要求1所述的，其中作为第一特征的平行于晶棒轴向的柱面为任何一个柱面。5.根据权利要求1所述的，其中作为第二特征的微型沟槽的位置为不在具有第一特征柱面的对分中心线上的任意位置。6.根据权利要求5所述的，其中作为第二特征的微型沟槽的形状为V型或半圆型。【文档编号】H01L21/02GK103489752SQ201310444715【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年9月26日 优先权日:2013年9月26日【专利技术者】王文军, 李晋闽, 王军喜, 马平, 纪攀峰, 郭金霞, 孔庆峰, 胡强 申请人:中国科学院半导体研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法，包括如下步骤：步骤1：在截面为多边形的晶棒上，选取一个平行于晶棒轴向的柱面作为表面取向标识的第一特征；步骤2：在具有第一特征的柱面上沿着晶棒轴向平行于棱边制做一个微型沟槽，作为表面取向标识的第二特征，将晶棒切片，制作成多边形衬底片；步骤3：利用第一特征和第二特征的组合，对多边形衬底片的表面取向进行标识，完成对晶棒及衬底片表面取向的标识。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王文军，李晋闽，王军喜，马平，纪攀峰，郭金霞，孔庆峰，胡强，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：