【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种隔离层刻蚀方法。
技术介绍
如图I至图6所示，是现有隔离层刻蚀方法各步骤中的硅基片的剖面图。现有隔离层刻蚀方法包括如下步骤步骤一、如图I至图3所示，在所述硅基板I上形成衬垫氧化层2 ;在所述衬垫氧化层2上形成氮化硅层3。由所述衬垫氧化层2和所述氮化硅3层组成隔离层。 步骤二、如图4所示，在所述隔离层上即所述氮化硅层3上形成光刻胶4，采用光刻刻蚀工艺在所述隔离层需要刻蚀的区域形成光刻胶窗口 5。步骤三、如图5所示，对所述光刻胶窗口 5下方的所述隔离层进行等离子体刻蚀、并一直刻蚀到所述硅基板I的表面，所述隔离层的等离子体刻蚀是先刻蚀所述氮化硅3、再刻蚀所述衬垫氧化层2。步骤四、如图6所示，去除所述光刻胶5。如图5和图6可知，由于现有技术的步骤三中的所述隔离层高的刻蚀是采用等离子体刻蚀，等离子体的离子在刻蚀过程中会硅基板的表面进行冲击产生物理刻蚀的效果，会造成硅基板上的损伤缺陷，导致产品低良率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种隔离层刻蚀方法，能消除硅基板的损伤缺陷，提供广品良率。为解决上述技术问题，...
【技术保护点】
一种隔离层刻蚀方法，包括步骤：步骤一、在硅基板上形成隔离层；步骤二、在所述隔离层上形成光刻胶，采用光刻刻蚀工艺在所述隔离层需要刻蚀的区域形成光刻胶窗口；步骤三、对所述光刻胶窗口下方的所述隔离层进行等离子体刻蚀、并一直刻蚀到所述硅基板的表面；其特征在于，还包括如下步骤：步骤四、进行化学刻蚀对所述光刻胶窗口下方露出来的所述硅基板的表面圆弧化；步骤五、去除所述光刻胶。
【技术特征摘要】
1.一种隔离层刻蚀方法，包括步骤 步骤一、在硅基板上形成隔离层； 步骤二、在所述隔离层上形成光刻胶，采用光刻刻蚀工艺在所述隔离层需要刻蚀的区域形成光刻胶窗口； 步骤三、对所述光刻胶窗口下方的所述隔离层进行等离子体刻蚀、并一直刻蚀到所述娃基板的表面； 其特征在于，还包括如下步骤 步骤四、进行化学刻蚀对所述光刻胶窗口下方露出来的所述硅基板的表面圆弧化； 步骤五、去除所述光刻胶。2.如权利要求I所述隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁红军，吴长明，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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