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本发明公开了一种隔离层刻蚀方法，本发明通过在隔离层的等离子刻蚀之后，增加一步对硅基板进行圆弧化的化学刻蚀。圆弧化的化学刻蚀能够消除隔离层的等离子刻蚀过程中对硅基板的损伤缺陷，从而提高产品良率。...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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