半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制作方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层以及镶嵌在所述介电层中的金属互连线；b）在所述金属互连线和所述介电层上形成超薄的氮化硅层；c）在所述氮化硅层上形成盖帽层。本发明专利技术通过在金属互连线与盖帽层之间形成超薄的氮化硅层，由于氮化硅层具有良好的密封性，因此可以很好地阻挡潮气和氧气，抑制电迁移现象，延长金属互连线的电迁移寿命，并且还能防止金属原子向周围器件扩散，保证了金属互连线以及整个半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
随着集成电路的集成度不断提高，半导体器件尺寸不断缩小使得RC延迟成为制约集成电路性能进一步提高的关键性因素。为了降低Re延迟，通常采用低介电常数材料作为介电层。目前，较常用的作为介电层的低介电常数材料包括掺杂碳的(carbon-doped)氧化娃、氟娃玻璃(FSG)、碳氧化娃(silicon oxycarbide)、SiCOH类介电材料、掺杂氟的氧化硅、旋涂玻璃、黑钻石(BD)等等。 图I为现有的具有金属互连线的半导体器件的剖视图。如图I所示，在半导体衬底100上形成有介电层101以及镶嵌在介电层101中的金属互连线102。在介电层101和金属互连线102上形成有盖帽层103。盖帽层103不但可以防止金属互连线102受到后续工艺或外部环境的污染，而且还可以用作后续工艺的刻蚀停止层。此外，当金属互连线102的材料为铜时，盖帽层103还可以作为防止铜扩散的扩散阻挡层。由于RC延迟对半导体器件的影响，盖帽层103通常也会选择使用低介电常数材料来形成。盖帽层103可以使用碳掺杂的氧化硅，其包括硅、碳、氢和氧(称为SiCOH本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层以及镶嵌在所述介电层中的金属互连线；b）在所述金属互连线和所述介电层上形成超薄的氮化硅层；c）在所述氮化硅层上形成盖帽层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，包括 a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层以及镶嵌在所述介电层中的金属互连线； b)在所述金属互连线和所述介电层上形成超薄的氮化硅层； c)在所述氮化硅层上形成盖帽层。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述方法在所述b)步骤之后还包括对所述氮化硅层进行氮化处理，以减少所述氮化硅层中的氢键和悬挂键。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化处理是使用氮源气体的等离子体对所述氮化硅层进行处理的。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭冰清，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：