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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层以及镶嵌在所述介电层中的金属互连线；b）在所述金属互连线和所述介电层上形成超薄的氮化硅层；c）在所述氮化硅层上形成盖帽层。本发明通过在金属互连线与盖...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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