【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种半导体封装件，尤指一种具覆晶结构的半导体封装件及其制法。
技术介绍
封装技术中，相较于打线接合(Wire Bond)技术，覆晶技术的特征在于半导体芯片与基板间的电性连接是透过焊锡凸块而非一般的金线。而该种覆晶技术的优点在于该技术可提升封装密度以降低封装组件尺寸，同时，该种覆晶技术不需使用长度较长的金线，所以可提升电性性能。目前覆晶技术将多个导电凸块形成于芯片的电极垫上，且将数个由焊料所制成的预焊锡凸块形成于封装基板的焊垫上，并在可使该预焊锡凸块熔融的回焊温度下，将预焊锡凸块回焊至相对应的导电凸块，以形成焊锡接。最后，使用底部填充材料以耦合芯片与封装基板，确保芯片与封装基板两者的电性连接的完整性与可靠性。·请参阅图IA及图IB或其它相关专利(如第US7，382，049号美国专利、第US7, 598，613号美国专利)，揭示覆晶式半导体封装件的不同实施例。如图IA所示，其揭示一种覆晶式半导体封装件la，其制法为于一具有焊垫100的封装基板10上形成保护层101，且该保护层101外露该焊垫100 ;接着，于该焊垫100上形成锡膏12,使该半导体芯片1...
【技术保护点】
一种半导体封装件，其包括：承载板，具有多个焊垫形成于其表面上；封装层，形成于该承载板表面上，且具有多个对应各该焊垫的开孔；导电材，填充于该开孔中，且电性连接该焊垫；以及电子组件，设于该封装层上，且该电子组件具有多个导电凸块，其中，各该导电凸块对应容置于各该开孔中以电性连接该导电材。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄君安，黄品诚，邱启新，邱世冠，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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