用于制造半导体封装元件的半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种用于制造半导体封装元件的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一载板。载板具有相对的一第一表面与一第二表面，载板包括一内层(inner?layer)及一外披覆层(exterior?clad?layer)，外披覆层包覆内层。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体封装元件的半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种用于制造半导体封装元件的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
传统的半导体封装元件例如包括基板、导线、环氧树脂封装层及芯片。基板的材质例如是铜，用以承载芯片，芯片与导线电连接，环氧树脂封装层包覆导线与芯片。然而，基板整体材质都以铜来制作时，其成本较高，且容易发生翘曲。并且，环氧树脂封装层与导线之间的密封性不佳，常产生后续蚀刻制作工艺中的蚀刻液露出而破坏导线的问题。因此，为了因应上述问题而提出解决方法实为必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构中，载板的外披覆层包覆内层，可于后续蚀刻步骤中提供较佳的蚀刻阻隔，并且，导线层埋设于绝缘层中，可以防止导线层在后续的蚀刻制作工艺中受到蚀刻液的破坏。为达上述目的，根据本专利技术的一方面，提出一种用于制造半导体封装元件的半导体结构。半导体结构包括一载板。载板具有相对的一第一表面与一第二表面，载板包括一内层及一外披覆层，外披覆层包覆内层。根据本专利技术的另一方面，提出一种半导体封装元件的制造方法。半导体封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体封装元件的半导体结构，包括：载板，具有相对的第一表面与第二表面，包括内层(inner？layer)及外披覆层(exterior？clad？layer)，该外披覆层包覆该内层。

【技术特征摘要】
2011.07.22 US 61/510,4941.一种半导体封装元件的制造方法，包括：提供一载板，具有相对的第一表面与第二表面，该载板包括内层及外披覆层，该外披覆层包覆该内层；形成导线层和绝缘层于该载板上；以及采用三个蚀刻液分别进行三次蚀刻步骤以移除该载板，采用至少一蚀刻液蚀刻该载板，其中利用该外披覆层的材质与该内层的材质不相同，至少有一蚀刻液对该内层的蚀刻速率大于对该外披覆层的蚀刻速率。2.如权利要求1所述的半导体封装元件的制造方法，其中该内层包括第一金属，该外披覆层包括第二金属。3.如权利要求2所述的半导体封装元件的制造方法，其中该第一金属包括铁，该第二金属包括铜。4.如权利要求3所述的半导体封装元件的制造方法，其中该第一金属为一合金，该第一金属还包括碳、镁、磷、硫、铬或镍。5.如权利要求4所述的半导体封装元件的制造方法，其中该第一金属为一不锈钢合金。6.如权利要求2所述的半导体封装元件的制造方法，其中该第一金属具有一热膨胀系数(CTE)为10至15ppm/℃。7.如权利要求2所述的半导体封装元件的制造方法，其中该第一金属具有一模数(modulus)为150至250GPa。8.如权利要求1所述的半导体封装元件的制造方法，其中该内层的厚度相对于该外披覆层的厚度的一比例为大于10。9.如权利要求1所述的半导体封装元件的制造方法，其中该导线层埋设于该绝缘层中。10.如权利要求1所述的半导体封装元件的制造方法，其中该绝缘层为一树脂(resin)材料，该树脂材料具有一热膨胀系数(CTE)为10至15ppm/℃。11.如权利要求1所述的半导体封装元件的制造方法，其中该载板与该绝缘层的热膨胀系数差值为小于3ppm/℃。12.如权利要求1所述的半导体封装元件的制造方法，其中该导线层埋设于该第一表面和该第二表面之间，该导线层连接该第一表面和该第二表面。13.如权利要求1所述的半导体封装元件的制造方法，其中形成该绝缘层于该载板上的步骤包括：形成一绝缘材料层于该载板上且包覆该导线层；以及薄化该绝缘材料层以形成该绝缘层并暴露出该导线层。14.如权利要求1所述的半导体封装元件的制造方法，其中采用三个蚀刻液分别进行三次蚀刻步骤以移除该载板的步骤包括：以一第一蚀刻液蚀刻该载板，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：周辉星，林建福，欧菲索，林少雄，
申请(专利权)人：先进封装技术私人有限公司，
类型：发明
国别省市：