本发明专利技术公开了一种晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法，其中，包括以下步骤：在标准片上完成晶圆边缘去除工艺；利用晶圆边缘度量与检测工具对标准片进行多次扫描检测，获得第一数值组合，包括第一最大数值、第一数值；分别对所述第一数值组合的平均计算，获得每个组合的第一平均数值；取所有的所述第一最大数值、第一最小数值和第一平均数值进行算术平均值计算；对标准片进行日常扫描，获得第二数值组合，分别计算出算术平均值与该第二数值组合中的第二最大数值、第二最小数值和第二平均数值的绝对差；设定标准数值，分别比较绝对差和标准数值。本发明专利技术通过偏差度可以更加直观的检测到机台检测EBR/WEE的稳定性和精确性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子领域，尤其涉及。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展和机台性能的不断提高，对晶圆边缘的缺陷情况越来越注重。利用晶圆边缘度量与检测工具，例如，CV300R通过对晶圆边缘的度量，旨在帮助半导体厂识别晶圆边缘轮廓形状和放置在晶圆上的薄膜边缘可能影响成品率的不规则外形。实施中，检测机台对晶圆边缘在EBR (Edge Bead Remover,边缘去除工艺)&WEE(wafer edgeexpose，晶圆边缘去除工艺)后进行缺陷检测是一种快速有效的工艺步骤品质监控方法。因此，保证检测机台自身稳定性和精确性显得至关重要。但是，现有技术中的CV300R采用的自身检测方法过于简单，无法实际反映机台自身的稳定性和精确性。 目前CV300R采用的自身检测方法主要是通过使用与机台匹配的标准片，该标准片的正面、侧面和背面均包含一定数目的微粒(particle)，并且在晶圆表面是无法移动的。机台通过日常检测获得三个面Ium大小的particle总数目，将测量得到的Ium大小的particle数值比上Ium大小的particle基准数目，其比值结果在(90%, 110%)之间时表示机台符合run货标准，机台可以正常使用。在这种检测方法下，检测结果只能反映机台对颗粒状缺陷(defect)的捕捉能力，而无法体现出对于wafer edge (晶圆边缘)厚度检测的稳定性。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术的目的是提供。该方法克服了现有技术中的圆边缘度量与检测工具的检测结果无法确定晶圆边缘厚度检测的稳定性的问题。本专利技术的目的是通过下述技术方案实现的 一种，其中，包括以下步骤 提供一标准片，在所述标准片上完成晶圆边缘去除工艺； 利用所述晶圆边缘度量与检测工具对所述标准片进行多次扫描检测，获得所述标准片第一边缘厚度数值组合，所述第一边缘厚度数值组合包括第一最大边缘厚度数值、第一最小边缘厚度数值； 分别对所述第一边缘厚度数值组合的平均计算，获得每个所述第一边缘厚度数值组合的第一平均边缘厚度数值； 取所有的所述第一边缘厚度数值组合的所述第一最大边缘厚度数值、所述第一最小边缘厚度数值和所述第一平均边缘厚度数值进行算术平均值计算，获得算术平均值； 进行日常检测时，对所述标准片进行日常扫描，获得第二边缘厚度数值组合，分别计算出算术平均值与该第二边缘厚度数值组合中的第二最大边缘厚度数值、第二最小边边缘厚度数值和第二平均边缘厚度数值的绝对差； 设定标准数值，分别比较所述绝对差和所述标准数值，通过比较结果，确定检测所述晶圆边缘度量与检测工具的厚度稳定性。上述的，其中，在所述标准片上进行晶圆边缘去除工艺步骤中，包括 提供一晶圆作为基底； 在所述晶圆上生成长一层金属铜薄膜； 在所述晶圆边缘进行晶圆边缘去除工艺，去除所述晶圆边缘部分的金属铜薄膜。上述的，其中，采用金属洗边工艺进行晶圆边缘的去除。 上述的，其中，采用金属边缘刻蚀工艺进行晶圆边缘的去除。上述的，其中，在比较所述绝对差和所述标准数值的步骤中，包括 确定一标准数值，将所述算术平均值和所述第二最大边缘厚度数值的第一绝对差、所述标准值和所述第二最小边缘厚度数值的第二绝对差、所述标准值和所述第二平均边缘厚度数值的第三绝对差分别与所述标准数值进行比较； 若所述第一绝对差、所述第二绝对差和所述第三绝对差均小于所述标准数值，则所述晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性符合标准； 若所述第一绝对差或/和所述第二绝对差或/和第三绝对差大于所述标准值，则所述晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性不符合标准。上述的，其中，设定所述标准数值为20 μ m。上述的，其中，所述的晶圆边缘度量与检测工具为CV300R晶圆边缘度量与检测设备。与已有技术相比，本专利技术的有益效果在于 本专利技术通过设定标准检测晶圆和标准的比较值，通过专门用于机台检测的标准片。通过将检测晶圆测量的多个数值-最大值、最小值和平均值与标准的比较值进行比较确定偏差度，通过偏差度可以更加直观的检测到机台检测EBR/WEE的稳定性和精确性。当前机台检测无copper EBR检测相关内容，增加此检测项目后若机台存在问题就可以直接反应出来。附图说明图I是本专利技术的流程示意框具体实施例方式下面结合原理图和具体操作实施例对本专利技术作进一步说明。一种，其中，包括以下步骤 Si:提供一标准片，在标准片上完成晶圆边缘去除工艺，具体地，该步骤可以分解包括下列步骤 提供一晶圆作为基底； 在晶圆上生成长一层金属铜薄膜； 在曝光的晶圆边缘进行晶圆边缘去除工艺，从而去除晶圆边缘的光刻胶，具体地，对生长铜金属薄膜的晶圆去除边缘冗余铜金属，具体的可以采用金属洗边工艺或者金属边缘蚀刻工艺去除。S2:利用晶圆边缘度量与检测工具对标准片进行多次扫描检测，获得标准片边缘厚度数值组合； S3:通过上述步骤，获得多个第一边缘厚度数值组合，该第一边缘厚度数值组合包括第一最大边缘厚度数值、第一最小边缘厚度数值以及每个第一边缘厚度数值组合中的数值进行平均计算，获得第一平均边缘厚度数值； 具体地，在本专利技术的一个实施例中，利用CV300 R晶圆边缘度量与检测设备连续对标准片进行十次扫描，每次扫描后获得一个第一边缘厚度数值组合，在该组合中包括多个数值，确定其第一最大值、第一最小值，并且计算出第一平均值，从而确定了每次获得的边缘厚度数值组合中的第一最大边缘厚度数值、第一最小边缘厚度数值以及第一平均边缘厚度数值。S4 :取所有的边缘厚度数值组合中第一最大边缘厚度数值、第一最小边缘厚度数值以及第一平均边缘厚度数值并按照算术平均计算方法，计算出其算术平均值； 55:进行日常检测时，对标准片进行日常扫描，获得第二边缘厚度数值组合，分别计算出算术平均值与该第二边缘厚度数值组合中的第二最大边缘厚度数值、第二最小边缘厚度数值和第二平均边缘厚度数值的绝对差； 56:设定标准数值，分别比较绝对差和标准数值，通过比较结果，确定检测晶圆边缘度量与检测工具的厚度稳定性。具体地，该步骤中还包括下列步骤 确定一标准数值，将算术平均数值和第二最大边缘厚度数值的第一绝对差、标准值和第二最小边缘厚度数值的第二绝对差、标准值和第二平均边缘厚度数值的第三绝对差分别与所述标准数值进行比较； 若第一绝对差、第二绝对差和第三绝对差均小于标准数值，则晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性符合标准； 若第一绝对差或/和所述第二绝对差或/和第三绝对差大于标准值，则晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性不符合标准。在本专利技术的一个实施例中，将标准数值设定为20μπι，其中第一绝对差=|标准数值第二最大边缘厚度数值I，第二绝对差=I标准数值第二最小边缘厚度数值I，第三绝对差=I标准数值第二平均边缘厚度数值I，若该第一绝对差<20um且第二绝对差〈20 μ m且第三绝对差〈20 μ m，则可以得出该晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性符合标准。以上对本专利技术的具体实施例进行了详细描述，但本专利技术并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何等同修改和替代也都在本专利技术的范畴之中。因此，在不脱离本专利技术的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在 本专利技术的范围内本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶圆边缘度量与检测工具的厚度检测稳定性检测方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一标准片，在所述标准片上完成晶圆边缘去除工艺；利用所述晶圆边缘度量与检测工具对所述标准片进行多次扫描检测，获得多组所述标准片的第一边缘厚度数值组合，所述第一边缘厚度数值组合包括第一最大边缘厚度数值、第一最小边缘厚度数值；分别对所述第一边缘厚度数值组合的平均计算，获得每个所述第一边缘厚度数值组合的第一平均边缘厚度数值；取所有的所述第一边缘厚度数值组合的所述第一最大边缘厚度数值、所述第一最小边缘厚度数值和所述第一平均边缘厚度数值进行算术平均值计算，获得算术平均值；进行日常检测时，对所述标准片进行日常扫描，获得第二边缘厚度数值组合，分别计算出算术平均值与该第二边缘厚度数值组合中的第二最大边缘厚度数值、第二最小边边缘厚度数值和第二平均边缘厚度数值的绝对差；设定标准数值，分别比较所述绝对差和所述标准数值，通过比较结果，确定检测所述晶圆边缘度量与检测工具的厚度稳定性。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱陆君，倪棋梁，陈宏璘，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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