【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，尤其涉及一种适用于对形成有开关用晶体管的半导体芯片进行树脂封装的半导体器件的有效技术。
技术介绍
近年来，为了实现电源电路等的小型化及支持高速响应，正在推进电源电路中所用的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor, MOSFET)的高频化。尤其是桌面型或笔记本式的个人电脑、服务器或游戏机等的CPU(CentralProcessing Unit :中央处理器)或DSP(Digital Signal Processor :数字信号处理器)等 趋于大电流化及高频化。为此，也在推进构成对所述CPU或DSP的电源进行控制的非绝缘型DC-DC转换器的功率MOSFET的技术开发，以应对大电流及高频化的趋势。被广泛用作电源电路的一例的DC-DC转换器具有使高侧开关用功率MOSFET与低侧开关用功率MOSFET串联的结构。高侧开关用功率MOSFET具有DC-DC转换器控制用开关功能，低侧开关用功率MOSFET具有同步整流用开关功能，通过这两个功率MOSFET在取...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一芯片搭载部，所述第一芯片搭载部具有导电性；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一主表面和处于所述第一主表面相反一侧的第一背面，所述第一背面经由导电性接合材料与所述第一芯片搭载部接合；以及封装部，所述封装部对所述第一半导体芯片及所述第一芯片搭载部的至少一部分进行封装，该半导体器件的特征在于，在所述第一半导体芯片上形成有漏极彼此电连接且栅极彼此电连接的第一MOSFET及第二MOSFET，所述第一MOSFET形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面的第一区域上，所述第二MOSFET形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面的第二区域上，并且所述第二MO...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宇野友彰，女屋佳隆，加藤浩一，工藤良太郎，七种耕治，船津胜彦，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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