功率半导体模块制造技术

技术编号:8162601 阅读:170 留言:0更新日期:2013-01-07 20:11
本发明专利技术提供功率半导体模块,其能够减少成为电磁故障等的原因的电压振动的产生。在多个绝缘基板(20、20’)中的各个绝缘基板上搭载的IGBT等半导体开关元件(50、50’)的各主电极(52、52’)通过导体部件(45)电连接。由此,可以抑制由于半导体开关元件的接合电容和寄生电感而导致的共振电压的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在电力的变换或控制中使用的功率半导体模块
技术介绍
电力变换装置具有将从直流电源供给的直流电力变换为用于向旋转电机等电流电气负载供给的交流电力的功能或者将发电机发出的交流电力变换为直流电力的功能。为了实现这种变换功能,电力变换装置具有逆变电路等电力变换电路,逆变电路使用了具有开关功能的功率半导体模块,通过重复进行接通动作和切断动作,从直流电力向交流电力或者从交流电力向直流电力进行电力变换。功率半导体模块,在散热用的金属底座上通过焊接等接合形成了布线图案的绝缘基板,在该绝缘基板的布线图案上以并联连接的方式搭载多个半导体元件。在大功率用的 功率模块中,为了对大电流进行开关,通过搭载多个该绝缘基板,实现多个半导体元件的并联连接。作为这种现有的功率半导体模块,已知专利文献I 4中记载的功率半导体模块。在功率半导体模块中,由于并联连接了多个半导体元件,因此,元件数越增多,从外部电极到各半导体元件的布线距离越不同,产生了寄生电感的差异。由于这一点和各半导体元件的特性的波动,产生开关的定时的偏差。因此,在电流切断前不久,在半导体元件间产生由于半导体元件的电容和半导体元件间的寄生电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率半导体模块,其具备:第一绝缘基板;第二绝缘基板;搭载在所述第一绝缘基板上,具备第一主电极和第二主电极的第一半导体开关元件;搭载在所述第二绝缘基板上,具备第三主电极和第四主电极的第二半导体开关元件;与所述第一主电极电连接的第一主端子;与所述第二主电极电连接的第二主端子;与所述第三主电极电连接的第三主端子;以及与所述第四主电极电连接的第四主端子,所述功率半导体模块的特征在于,具有将所述第一主电极和所述第三主电极电连接的至少一个导体部件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:东克典安田健太郎藤田孝博斋藤克明小池义彦日吉道明
申请(专利权)人:株式会社日立制作所
类型:发明
国别省市:

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