一种液冷的IGBT变流装置制造方法及图纸

一种液冷的IGBT变流装置，包括氮化硅陶瓷基板、芯片和绝缘支架，所述氮化硅陶瓷基板包括第二铜层、氮化硅陶瓷板和第一铜层，所述第一铜层焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层焊接在氮化硅陶瓷板的背面；在绝缘支架上端设有控制和驱动板，氮化硅陶瓷基板、绝缘支架和控制和驱动板共同形成密封腔；所述氮化硅陶瓷基板背面设有散热器。?本实用新型专利技术中直接以氮化硅陶瓷板作为基板，简化了工艺流程，降低了成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率器件，特别涉及一种液冷的IGBT变流装置。
技术介绍
以绝缘栅极双极晶体管(IGBT)为基础的功率器件是大功率变流装置的核心。通常大功率IGBT器件由金属底板、陶瓷覆铜基板和功率芯片通过多层焊料焊接到一起。金属底板常用纯铜底板，它不仅是功率器件散热的主要途径，而且是机械固定此大功率器件的基础。由于热量最終必须从散热器表面带走，因此在底板与散热器安装面之间必须涂覆导热硅脂以降低热阻。当IGBT器件的输出电流増加，其耗散的热量也随之上升，为了保持芯片的结温而使IGBT在安全工作区内工作，大功率IGBT器件的底板面积必须设计得足够大。如此，整个IGBT变流装置的体积和重量也变得相当大，对进一步提高功率装置的密度，降低尺寸造成了不小的挑战。 如果采用具备液态冷却的底板，那么大功率IGBT器件的散热条件可以大幅度改善。这是由于液体，例如水的热传导系数要比空气的热传导系数要高出几个数量级。功率芯片所产生的热量可以通过液体循环迅速带走。这种情况下，散热器可以成为底板的一部分，省略了导热硅脂层。而且，散热器尺寸可以比空气散热器大为缩小，这为整个IGBT变流装置减小体积创造了条件。但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液冷的IGBT变流装置，其特征是，所述IGBT变流装置包括氮化硅陶瓷基板、芯片和绝缘支架，所述氮化硅陶瓷基板包括第二铜层、氮化硅陶瓷板和第一铜层，所述第一铜层焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层焊接在氮化硅陶瓷板的背面；在绝缘支架上端设有控制和驱动板，氮化硅陶瓷基板、绝缘支架和控制和驱动板共同形成密封腔；所述氮化硅陶瓷基板背面设有散热器。

【技术特征摘要】
1.一种液冷的IGBT变流装置，其特征是，所述IGBT变流装置包括氮化硅陶瓷基板、芯片和绝缘支架，所述氮化硅陶瓷基板包括第二铜层、氮化硅陶瓷板和第一铜层，所述第一铜层焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层焊接在氮化硅陶瓷板的背面；在绝缘支架上端设有控制和驱动板，氮化硅陶瓷基板、绝缘支架和控制和驱动板共同形成密封腔；所述氮化硅陶瓷基板背面设有散热器。2.根据权利要求I所述的液冷的IGBT变流装置，其特征是，所述第一铜层厚度在I毫米至2毫米之间，所述第二铜层厚度在I毫米至2毫米之间。3.根据权利要求I所述的液冷的IGBT变流装置，其特征是，所述第一铜层通过第一合金层在高温下与氮化硅发生反应，焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层通过第二合金层在高温下与氮化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄伟东，
申请(专利权)人：南京银茂微电子制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：