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一种液冷的IGBT变流装置，包括氮化硅陶瓷基板、芯片和绝缘支架，所述氮化硅陶瓷基板包括第二铜层、氮化硅陶瓷板和第一铜层，所述第一铜层焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层焊接在氮化硅陶瓷板的背面；在绝缘支架上端设有控制和驱动板，氮化硅陶瓷基...
该专利属于南京银茂微电子制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京银茂微电子制造有限公司授权不得商用。

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