【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
,尤其涉及。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-IXD)现已广泛的应用于各个领域,如家庭、公共场所、办公场所以及个人电子相关产品等。其中,基于高级超维场转换技术(ADvanced SuperDimension Switch,ADS)的液晶显示器由于具备高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开 口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点,因此得到越来越多的应用。ADS模式液晶显示装置通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率,大大提高TFT-IXD产品的画面品质。在ADS模式的TFT-LCD中,数据线上方存在公共电极,所述公共电极与所述数据线之间存在I禹合电容(Cdc),所述f禹合电容会带来显示时的泛绿(Greenish)以及串扰(crosstalk)等问题。为克服该问题,现有技术中的一种解决方案为,在数据线所在的层与公共电极所在的层之间设置树脂层,通过所述树脂层来减少 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于:所述阵列基板的数据线所在的层与透明电极层之间设置有树脂层,所述树脂层具有暴露出像素区域的开口。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:林允植,严允晟,崔贤植,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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