本发明专利技术涉及边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法。该方法包括：在基板上的像素区中形成TFT；在上面形成第一钝化层；在上面形成公共电极；在上面形成第二钝化层；在上面形成第一厚度的辅助绝缘层；在上面形成分别为第二和第三厚度的第一和第二光刻胶图案；使用第一和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻辅助绝缘层、第二和第一钝化层以形成漏接触孔；进行灰化以去除第二光刻胶图案并露出下方的辅助绝缘层；干法蚀刻以去除不被第一光刻胶图案覆盖的辅助绝缘层并露出第一钝化层，在第一光刻胶图案下方形成绝缘图案；在基板上形成第四厚度的透明导电材料层；进行抬离工序以一起去除第一光刻胶图案及其上的透明导电材料层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示器，更具体地涉及一种。
技术介绍
直到最近，显示装置通常都使用阴极射线管(CRT)。目前，正在进行很多努力和研究来开发各种类型的平板显示器，诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器面板(PDP)、场发射显示器和电致发光显示器(ELD)，作为CRT的代替。在这些平板显示器中，LCD具有很多优点，诸如分辨率高、重量轻、大小紧凑，并且电力供应要求低。 一般地，IXD包括隔开并且彼此面对的两个基板，两个基板之间夹有液晶材料。两个基板包括彼此面对的电极从而电极之间施加的电压在液晶材料上感应出电场。液晶材料中的液晶分子的配向根据感应电场的强度变为感应电场的方向，因而改变了 LCD的光透射率。由此，IXD通过改变感应电场的强度来显示图像。然而,利用两个基板上的两个电极之间感应的电场而工作的LCD不具有宽视角属性。为了解决这个问题，提出了面内切换(IPS)模式LCD。图I是例示了 IPS模式IXD的示意截面图。参照图1，IPS模式IXD包括作为阵列基板的下基板10、作为滤色器基板的上基板9和位于两个基板9和10之间的液晶层11。下基板10上形成有公共电极17和像素电极30，并且液晶层11利用公共电极17和像素电极30感应出的面内电场L而工作。图2A和图2B分别是例示IPS模式IXD的开和关状态的操作的图。参照图2A，图2A示出了处于开状态的液晶分子的设置，公共电极17和像素电极30上的液晶分子Ila的设置基本上保持和初始一样，公共电极17和像素电极30之间的液晶分子IlOb随着通过向电极17和30施加电压而感应的面内电场L而改变。换句话说，由于液晶分子利用面内电场L来工作，所以IPS模式LCD可具有宽的视角。因此，当从正面观看IPS模式IXD时，在上/下/左/右方向上约80度角到约85度角内可正常观看图像。参照图2B，图2B示出处于关状态的液晶分子的设置，由于公共电极17和像素电极30之间不感应面内电场L，所以全部液晶分子的设置基本上保持不变。IPS模式IXD具有宽视角的优点但是具有低孔径比和透射率的缺点。为了解决IPS模式LCD装置的问题，提出了利用边缘场来工作的边缘场切换(FFS)模式LCD。图3是例示根据现有技术的FFS模式IXD的截面图。参照图3，在FFS模式IXD的阵列基板的基板31上，对应于形成有薄膜晶体管Tr的切换区域Tra形成有光阻挡层33。在光阻挡层上形成有缓冲层38。在缓冲层38上的切换区域TrA中形成有由多晶硅制成的半导体层50。在半导体层50上形成有栅绝缘层55，并且栅极62位于栅绝缘层上55上的切换区域TrA中。层间绝缘膜70形成在栅绝缘层70上，包括第一半导体接触孔73a和第二半导体接触孔73b。源极78和漏极80形成在层间绝缘膜70上，并且分别通过第一半导体接触孔73a和第二半导体接触孔73b与半导体层50接触。半导体层50、栅绝缘层55、栅极62、层间绝缘膜70、源极78和漏极80形成了薄膜晶体管Tr。在源极78和漏极80上形成有第一钝化层85，并且在第一钝化层85上形成有公共电极90，公共电极90包括对应于切换区域Tra的第一开口 opl。在公共电极90上形成有第二钝化层92。第一钝化层85和第二钝化层92具有漏接触孔93，漏接触孔93露出了漏极80。 在第二钝化层92上的每个像素区P上形成有像素电极99，像素电极99通过漏接触孔93与漏极80接触，并且像素电极99包括均条形形状的多个第二开口 op2。FFS模式IXD的阵列基板是用9个掩模工序制造成的，包括针对半导体层50的掺杂工序。换句话说，通过以下工序来制造阵列基板形成光阻挡层33的工序、形成多晶硅半导体层50的工序、形成选通线(未示出)和栅极62的工序、形成包括半导体接触孔73a和73b的层间绝缘膜70的工序、形成数据线(未示出)和源极78和漏极80的工序、形成第一钝化层85的工序、形成包括第一开口 opl的公共电极90的工序、形成第二钝化层92的工序和形成包括第二开口 op2的像素电极99的工序。每个掩模工序都包括单位(unit)工序，诸如在基板上形成要构图的材料层，在材料层上形成光刻胶层，使用光掩模对光刻胶层曝光，将曝光的光刻胶层显影，使用显影之后留下的光刻胶图案来蚀刻材料层，以及剥离光刻胶图案。为了进行每个掩模工序，针对每个单位工序需要单位处理设备和材料,此外，需要针对每个单位工序的时间。因此，掩模工序的增加引起生产成本和时间增加。因此,要求减少掩模工序以减少生产成本和时间。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种基本上避免由于现有技术的限制和缺点造成的一个或者更多个问题的边缘场切换模式液晶显示器及其制造方法。本专利技术的优点是提供了一种可提高生产效率的边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法。本专利技术的其它特征及优点将在以下的说明书中进行阐述，并且一部分根据本说明书将是清楚的，或者可以从本专利技术的实践获知。本专利技术的这些和其它优点可以通过在本书面说明书及其权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。为了实现这些和其它优点，并且根据这里所具体实施和广泛描述的本专利技术的目的，一种制造边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板的方法包括以下步骤在基板上的像素区中形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成公共电极；在所述公共电极上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成具有第一厚度的辅助绝缘层；在所述辅助绝缘层上形成分别具有第二厚度和第三厚度的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第二厚度大于所述第三厚度；使用第一光刻胶图案和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述辅助绝缘、第二钝化层和第一钝化层以形成露出所述薄膜晶体管的漏极的漏接触孔；进行灰化以去除第二光刻胶图案并且露出下方的辅助绝缘层；进行干法蚀刻以去除不被第一光刻胶图案覆盖的辅助绝缘层并且露出第一钝化层，并且在第一光刻胶图案下方形成绝缘图案，所述绝缘图案和第一光刻胶图案形成了咬边(undercut)形状；在具有第一光刻胶图案的基板上形成具有小于所述第一厚度的第四厚度的透明导电材料层；以及进行抬离(lift off)工序以一起去除所述第一光刻胶图案及其上的所述透明导电材料层并且形成像素电极作为所述透明导电材料层的剩余部分。另一方面，一种边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板包括位于基板上的像素区中的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管上的第一钝化层；位于所述第一钝化层上的公共电极；位于所述公共电极上的第二钝化层；位于第二钝化层上并且具有第一厚度的条形绝缘图案；以及位于所述第二钝化层上的像素电极，所述像素电极包括填充有绝缘图案的开·口，并且像素电极通过形成在第一钝化层和第二钝化层中的漏接触孔与所述薄膜晶体管的漏极相接触。应当理解的是，前面的一般描述和后面的具体描述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本专利技术提供进一步的解释。附图说明附图被包括进来以提供对本专利技术的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，这些附图例示了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中图I是例示IPS模式IXD的示意截面图；图2A和图2B分别是例示IPS模式IXD的开和关状态的操作的图；图3是例示根据现有技术的FFS模式IXD的截面图；图4A到图4本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：在基板上的像素区中形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成公共电极；在所述公共电极上形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成具有第一厚度的辅助绝缘层；在所述辅助绝缘层上形成分别具有第二厚度和第三厚度的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第二厚度大于所述第三厚度；使用所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述辅助绝缘层、所述第二钝化层和所述第一钝化层，以形成露出所述薄膜晶体管的漏极的漏接触孔；进行灰化以去除所述第二光刻胶图案并且露出其下方的所述辅助绝缘层；进行干法蚀刻以去除不被所述第一光刻胶图案覆盖的所述辅助绝缘层并且露出所述第一钝化层，并且在所述第一光刻胶图案下方形成绝缘图案，所述绝缘图案和所述第一光刻胶图案形成咬边(底切？)形状；在具有所述第一光刻胶图案的基板上形成具有小于所述第一厚度的第四厚度的透明导电材料层；以及进行抬离工序以一起去除所述第一光刻胶图案及其上的所述透明导电材料层并且将所述透明导电材料层的剩余部分形成为像素电极。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁英基，李锡宇，吴锦美，申东天，宋寅赫，李汉锡，朴原根，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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