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本发明涉及边缘场切换模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法。该方法包括：在基板上的像素区中形成TFT；在上面形成第一钝化层；在上面形成公共电极；在上面形成第二钝化层；在上面形成第一厚度的辅助绝缘层；在上面形成分别为第二和第三厚度的第一和第二光...
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