一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板及显示装置，涉及低温多晶硅高级超维场转换显示技术领域。该阵列基板包括：栅电极层、多晶硅层、源漏电极层、公共电极层、像素电极层、及存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极设置于所述公共电极层，第二电极设置于所述栅电极层。本实用新型专利技术的阵列基板及显示装置公共电极层与多晶硅层同层，且储存电容的一个电极直接用与公共电极同层且同材料的金属电极，在达到相同的存储电容下可以减小存储电容的面积，从而提高开口率，显示品质得以提高。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及低温多晶硅高级超维场转换显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-IXD, TFT-IXD)可分为多晶娃(Poly-Si，P-Si)TFT-LCD与非晶硅(a_Si)TFT_LCD，两者的差异在于电晶体特性不同。P_Si的分子结构在一颗晶粒(Grain)中的排列状态是整齐而有方向性的，因此电子移动率比排列杂乱的非晶硅快了 200-300倍。P-Si产品主要包含高温多晶硅(HTPS )与低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon, LTPS)两种产品。LTPS技术是新一代的TFT显示器制造流程，主要是通过准分子激光退火工艺(Excimer Laser Anneal)将a_Si薄膜转变为P-Si薄膜层。LTPS IXD具有更快的响应时间，更高的分辨率，因此具有更佳的画面显示品质。在形成显示装置外围的电路时使用LTPS技术，能够减少集成电路(1C)，简化显示装置的外围，进而实现窄边框技术。高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch,ADS)是平面电场宽视角核心技术，其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够广生旋转，从而提闻了液晶工作效率，并增大了透光效率。闻级超维场开关技术可以提闻TFT-IXD产品的画面品质，应用高级超维场转换技术的TFT-IXD具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、以及无挤压水波纹(Push Mura)等优点。低温多晶娃LTPS IXD结合平面电场宽视角技术由于其较佳的品质,产品覆盖智能手机、平板电脑(PAD)、数码像机、笔记本电脑、汽车导航系统等多种高端智能移动互联产品O传统的LTPS ADS TFT-IXD阵列基板的结构示意图如图I所示，包括玻璃基板101、缓冲层(Buffer Layer)102、存储电容的第一电极103 (通过掺杂P-Si层形成，掺杂降低了 P-Si的电阻，该部分与栅电极层的公共电极形成电容)、P-Si层104、金属氧化物半导体(Metal-0xide-Semiconductor，M0S)电路的轻惨杂漏极(Lightly Doped Drain,LDD)部分105、CMOS掺杂部分106、栅极绝缘层107、栅电极108、存储电容的第二电极109、层间绝缘层110、源电极118、漏电极111、第二绝缘层112、过孔113、连接电极114、公共电极115(透明的氧化铟锡ITO或氧化铟锌ΙΖ0)、钝化层116、以及像素电极(透明的氧化铟锡ITO或氧化铟锌ΙΖ0) 117。其中，存储电容的第一电极103、MOS电路的LDD部分105以及掺杂部分106均形成在P-Si层104，通过对将要形成存储电容的第一电极的位置处的P-Si进行掺杂形成该存储电容的第一电极103，其与公共电极存储电容部分109之间形成的LTPS额外的存储电容用于补偿原有存储电容的不足。像素电极117与公共电极部分115之间形成ADS技术中的多维电场。上述阵列基板的制备工艺如下Al.在玻璃基板101上沉积缓冲层102，在缓冲层102上面沉积a_Si层，通过多晶硅工艺将a-Si层转化为P-Si层104 ;经过第一次光罩(Mask)工艺制作多晶硅层孤岛；A2.经过第二次光罩工艺和掺杂工艺制作存储电容的第一电极103，此过程中要求掺杂需要浓度高、电阻较低；A3.在P-Si层104上方沉积栅极绝缘层107 ；A4.在栅极绝缘层107上方沉积栅极金属层，通过第三次光罩工艺、刻蚀和掺杂工艺，对周边GOA区域的PMOS部分的栅极构图，并进行PMOS掺杂(图中未标出)；A5.通过第四次光罩工艺、刻蚀和掺杂工艺，对GOA区域和像素区域的NMOS部分的栅极进行构图(包括栅电极108和存储电容的第二电极109)，形成MOS电路的LDD部分105 ； A6.对像素区域和GOA区域进行NMOS掺杂，掺杂后像素区域形成掺杂部分106 ；A7.在栅极金属层上方沉积层间绝缘层110，通过第五次光罩工艺制作接触孔；AS.沉积源漏电极层，并通过第六次光罩工艺形成源电极118和漏电极111 ；A9.在源漏电极层上方涂覆有机树脂材料以形成该第二绝缘层112，通过第七次光罩工艺形成过孔113 ；A10.在第二绝缘层112上方沉积第一 ITO层作为公共电极层，通过第八次光罩工艺形成公共电极115和连接电极114 ；All.在第一 ITO层上方沉积钝化层116，通过第九次光罩工艺制作过孔；All.在钝化层116上面沉积第二 ITO层作为像素电极层，通过第十次光罩工艺形成像素电极117。按照上述方法制作LTPS ADS-IXD的阵列基板工艺复杂性高，且至少需要10次光罩(即10次光罩显影刻蚀制造工艺)工艺，因而制造成本偏高。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是提供一种在达到相同的存储电容下可以减小存储电容的面积，从而提高开口率及显示品质的阵列基板、显示面板以及显示装置。(二)技术方案为解决上述问题，本技术提供了一种阵列基板，包括栅电极层、多晶硅层、源漏电极层、公共电极层、像素电极层、及存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极设置于所述公共电极层，第二电极设置于所述栅电极层。优选地，所述存储电容的所述第一电极为与所述公共电极层同材料的金属电极。优选地，所述公共电极层与所述多晶硅层在同一层。优选地，所述阵列基板的栅极绝缘层设置在所述栅电极层以及所述多晶硅层之间。优选地，所述多晶硅层包括互补金属氧化物半导体CMOS掺杂区以及轻掺杂漏极区。优选地，所述阵列基板还包括层间绝缘层以及所述源漏电极层，所述层间绝缘层设置在所述栅电极层上方，所述源漏电极层设置在所述层间绝缘层上方。优选地，所述源漏电极层包括源电极、漏电极以及连接电极，所述连接电极一端连接所述CMOS掺杂区，另一端连接所述存储电容的第一电极。优选地，所述阵列基板的钝化层设置在所述源漏电极层与所述像素电极层之间，所述像素电极层通过过孔与所述漏电极连接。本技术还提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。(三)有益效果本技术的阵列基板及显示装置公共电极层与多晶硅层同层，且储存电容的一个电极直接用与公共电极同层且同材料的金属电极，减少了一次对多晶硅的掺杂工艺，及对其形成掺杂区的光罩显影工艺，且由于存储电容部分使用了金属材料，在达到相同的存储电容下可以减小存储电容的面积，从而提高开口率，显示品质得以提高。此外，由于省去 了第二绝缘层的制作，减少了一次过孔制作的工艺，仅通过八次光罩工艺即可制备完成，相比传统技术,大幅降低了成本。附图说明图I为传统的LTPS ADS-LCD的结构示意图；图2 (a) -2 (g)为依照本技术一种实施方式的阵列基板的制备工艺流程图。具体实施方式本技术提出的阵列基板、显示面板以及显示装置，结合附图及实施例详细说明如下。本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板还包括一存储电容，存储电容的第一电极设置于所述公共电极层，第二电极设置于所述栅电极层。如图2 (本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：栅电极层、多晶硅层、源漏电极层、公共电极层、像素电极层、及存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极设置于所述公共电极层，第二电极设置于所述栅电极层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉清，朴承翊，李炳天，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：