一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极和绝缘部，所述绝缘部包括多个第一过孔；所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。本发明专利技术提供的阵列基板能够形成具有较好可控区域的液晶分子旋转电场，达到提高液晶显示装置的透过率、亮度和对比度的目的，避免了因像素电极和公共电极存在较大的交叠区域而导致形成较大存储电容的问题，从而可以避免因较大存储电容导致的Greenish和线残像等品质性不良问题，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及。
技术介绍
目前 TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)存在多种电场显示模式，如ADS、IPS (In-Plane Switching，共平面切换)、VA等，不同的显示模式具有不同的设计结构，因此不仅在产品品质方面存在显著不同，在阵列基板制备工艺中也存在较大差异。图I所示为IPS显示模式的阵列基板结构，包括衬底基板11、像素电极12和公共电极13，其像素电12和公共电极13在同一平面上交替排列，形成图I中箭头所示方向的电场；基于图I所示的结构，IPS显示模式的阵列基板采用4次构图(即4mask)工艺制作，具 体为栅线和栅极构图，有源层、数据线和源漏电极构图，过孔构图，像素电极和公共电极构图；即IPS显示模式的阵列基板中，像素电极和公共电极在同一构图工艺中形成。图2所示为ADS显示模式的阵列基板结构，包括衬底基板21、像素电极22和公共电极23，其像素电极22与公共电极23为上下层设置关系，如图2所示，像素电极22在上层，由具有狭缝结构的透明电极图案构成，像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极和绝缘部，其特征在于，所述绝缘部包括多个第一过孔；所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极和绝缘部，其特征在于， 所述绝缘部包括多个第一过孔； 所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或 所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。2.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘部包括栅绝缘层和/或钝化层。3.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔的内壁与底表面夹有锐角形倒角。4.如权利要求1-3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦层。5.—种如权利要求1-4任一所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括 通过第一次构图工艺，形成包括栅线、栅电极、公共电极线的图形； 通过第二次构图工艺，形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道的图形； 通过第三次构图工艺，形成钝化层以及位于所述钝化层和/或栅绝缘层上的第一过孔； 通过第四次构图工艺，形成像素电极和公共电极。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过第三次构图工艺，形成位于所述钝化层和/或栅绝缘层上的第一过孔，具体包括 在所述钝化层和/或栅绝缘层上形成内壁垂直于底表面的第一过孔。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过第四次构图工艺，形成像素电极和公共电极，具体包括 形成透明导电薄膜，在所述透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：封宾，林鸿涛，王章涛，邵喜斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：