阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置，属于液晶显示领域。所述阵列基板的栅绝缘层采用黑色绝缘材料，且所述栅绝缘层具有暴露出像素区域的开口。本发明专利技术能够提高显示画面的品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示>J-U ρ α装直。
技术介绍
液晶显示器包括以矩阵形式设计的像素单元，以及驱动这些像素单元的驱动电路，通过液晶盒内电场的变化实现液晶分子的偏转，来达到显示效果。 现有液晶显示器件大多数采用传统的黑矩阵制造技术，即为了避免漏光问题，在彩膜基板上制作黑矩阵，并分别将红色色阻R、绿色色阻G以及蓝色色阻B以交叠(OverLap)的形式与黑矩阵连接。这种结构会不可避免的带来角段差问题，这样严重影响了显示画面的品质。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装直，以提闻显不画面的品质。为解决上述技术问题，本专利技术提供技术方案如下一种阵列基板，所述阵列基板的栅绝缘层采用黑色绝缘材料，且所述栅绝缘层具有暴露出像素区域的开口。所述阵列基板包括基板；形成在基板上的栅电极和栅线；形成在形成有所述栅电极和栅线的基板上的所述栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层上的半导体层；形成在所述半导体层上的数据线、源电极和漏电极；形成在形成有所述数据线、源电极和漏电极的基板上的钝化层，所述钝化层上形成有过孔；形成在钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。上述的阵列基板，其中，还包括形成在所述源电极、漏电极与半导体层之间的欧姆接触层。上述的阵列基板，其中所述黑色绝缘材料为有机材料。一种阵列基板的制造方法，所述制造方法采用黑色绝缘材料形成所述阵列基板的栅绝缘层，并在所述栅绝缘层中形成暴露出像素区域的开口。所述制造方法包括在基板上形成栅电极和栅线； 在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成所述栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体层、数据线、源电极和漏电极；在形成有所述半导体层、数据线、源电极和漏电极的基板上形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔；在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。上述的制造方法，还包括在所述源电极。漏电极与半导体层之间形成欧姆接触层。上述的制造方法，其中所述黑色绝缘材料为有机材料。一种显示装置，包括上述的阵列基板。根据本专利技术的上述技术方案，利用黑色绝缘材料来形成阵列基板的栅绝缘层，且在所述栅绝缘层形成暴露出像素区域的开口，这样，栅绝缘层就同时起到了黑矩阵的作用，能够避免现有显示装置制造过程中彩膜基板出现的角段差问题，从而提高了显示画面的品 质。另外，由于避免了角段差，则又可省略彩膜基板平坦层的涂布，从而能够降低显示装置的制造成本。附图说明图I为本专利技术实施例的阵列基板的截面示意图；图2为本专利技术实施例的阵列基板中栅绝缘层的平面示意图；图3 图6为本专利技术实施例的阵列基板的制造过程示意图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本专利技术进行详细描述。为了避免现有显示装置制造过程中彩膜基板出现的角段差问题，本专利技术实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板、彩膜基板以及夹设在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。其中，所述彩膜基板中不包括黑矩阵；所述阵列基板的栅绝缘层采用黑色绝缘材料，且所述栅绝缘层具有暴露出像素区域的开口，这样，栅绝缘层就同时起到了黑矩阵的作用。具体地，所述显示装置可以是液晶面板、液晶电视、手机、液晶显示器等。图I为本专利技术实施例的阵列基板的截面示意图。参照图1，所述阵列基板可以包括基板I ;形成在基板I上的栅电极2和栅线(图未示)；形成在形成有所述栅电极2和栅线的基板I上的所述栅绝缘层3，栅绝缘层3采用黑色绝缘材料，且所述栅绝缘层3具有暴露出像素区域的开口 ；形成在所述栅绝缘层3上的半导体层4 ；形成在所述半导体层4上的数据线(图未示)、源电极6和漏电极7 ;形成在形成有所述数据线、源电极6和漏电极7的基板I上的钝化层8，所述钝化层上形成有过孔9 ；形成在钝化层8上的像素电极10，所述像素电极10通过所述过孔9与所述漏电极8连接。可选地，所述阵列基板还包括形成在所述源电极6、漏电极7与半导体层4之间的欧姆接触层5。图2为本专利技术实施例的阵列基板中栅绝缘层的平面示意图。结合图I和图2可以看出，栅绝缘层3在垂直于阵列基板的方向上覆盖住了栅线、数据线以及薄膜晶体管，并暴露出了像素区域，从而起到了黑矩阵的作用。此种方式能够增强各个亚像素间的遮光强度，从而避免颜色串扰的发生。可选地，所述黑色绝缘材料为有机材料。通过采用有机材料，可为阵列基板带来低阈值电压、低漏电、高迁移率等优点。本专利技术实施例还提供上述阵列基板的制造方法，可以包括如下步骤步骤SI，提供一基板，在基板上形成栅线和栅电极；如图3所示，首先，可以采用溅射、热蒸发或其它成膜方法，在玻璃基板I或其他类 型的透明基板I上面形成栅金属层，栅金属层可以采用铬(Cr)、钥(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钕(Nd)及其合金，并且，栅金属层可以为一层或多层；然后，在栅金属层上形成光刻胶；其次，采用刻画有图形的掩膜板对光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶掩膜；再次，采用光刻胶掩膜对栅金属层进行刻蚀，形成栅线和栅电极2 ;最后，剥离剩余的光刻胶。步骤S2，在完成步骤SI的基板上形成栅绝缘层；如图2和图4所示，首先，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等方法，在所述基板I上沉积栅绝缘膜，其中，栅绝缘膜采用黑色绝缘材料，可选地，所述黑色绝缘材料为有机材料；然后，在栅金属膜上形成光刻胶；其次，采用刻画有图形的掩膜板对光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶掩膜；再次，采用光刻胶掩膜对栅绝缘膜进行刻蚀，形栅绝缘层3的图形；最后，剥离剩余的光刻胶。步骤S3，在完成步骤S2的基板上形成半导体层、欧姆接触层、数据线、源电极和漏电极；如图5所示，首先，在所述基板I上依次沉积半导体膜、欧姆接触膜、源漏金属膜；然后，在源漏金属膜上形成光刻胶层；其次，采用刻画有图形的灰色调或半色调掩膜板对光刻胶层进行曝光和显影，形成包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶未保留区域的光刻胶掩膜；再次，采用光刻胶掩膜对光刻胶未保留区域的源漏金属膜、欧姆接触膜和半导体膜进行刻蚀，形成数据线和半导体层4的图形；再次，通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，光刻胶完全保留区域的光刻胶变薄，形成新的光刻胶掩膜；再次，采用新的光刻胶掩膜刻蚀暴露的源漏金属膜和欧姆接触膜，形成源电极6和漏电极7的图形，并完成薄膜晶体管的沟道；最后，剥离剩余的光刻胶。步骤S4，在完成步骤S3的基板上形成钝化层，并对钝化层进行构图；如图6所示，首先，可以采用PECVD等方法，在所述基板I上形成厚度为钝化层8，钝化层8可以采用SiNx或SiOx等材料；然后，在钝化层8上形成光刻胶；其次，采用刻画有图形的掩膜板对光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶掩膜；再次，采用光刻胶掩膜对钝化层进行刻蚀，以暴露出漏电极7，形成过孔9 ;最后，剥离剩余的光刻胶。步骤S5，在完成步骤S4的基板上形成像素电极。如图I所示，首先，可以采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在所述基板I上形成透明导电层，透明导电层可以采用氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等材料；然后，在透明导电层上形成光刻胶；其次，采用刻画有图形的掩膜板对光刻胶进行曝光和显影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于：所述阵列基板的栅绝缘层采用黑色绝缘材料，且所述栅绝缘层具有暴露出像素区域的开口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田明，崔晓鹏，刘家荣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：