四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体制造技术

本发明专利技术公开一种四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体，其导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的漏极引脚组成，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间，所述铝导体带与MOSFET芯片的源极的焊接条至少为2条且相间排列；所述软焊料层由以下质量百分含量的组分组成：铅92.5%，锡5%，银2.5%。本发明专利技术功率MOSFET封装体有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及MOSFET芯片
，具体涉及ー种四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体。
技术介绍
随着电子制造技术的快速发展，消费电子产品越来越向小型、便携的趋势发展，这也导致了这些电子产品的内部能够用于布置电学元件的空间变得越来越有限。在此情况下，采用的电学元件势必越薄越好，这也成为了目前电子元件制造也的发展趋势。四方扁平无引脚封装(DFN)エ艺恰好可以满足这ー需求。附图I所示是现有技术中ー种典型的DFN封装结构的剖面示意图，包括芯片900，散热片920、引线框架930、多个导线940，以及包裹上述结构的绝缘胶950。芯片900粘附在散热片920上，引线框架930具有多个相互绝缘的管脚，芯片900表面的焊盘通过导线940 连接在引线框架93。相应的管脚上。绝缘胶950将上述结构全部包裹起来，以将其同外界隔离，仅将引线框架930的各个管脚和散热片920与芯片900相対的表面暴露在空气中。引线框架930暴露出来的管脚用于实现被封装的芯片900同外界的电学连接，而散热片920暴露出来的作用在于将芯片900工作时产生的热量通过暴露的表面散发到环境中去。专利技术内容本专利技术目的是提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体，包括MOSFET芯片（1）、环氧树脂层（2），所述MOSFET芯片上表面（1）设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括导电基盘（3）、第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，此基盘引脚区（32）由若干个相间排列的漏极引脚（321）组成，此漏极引脚（321）一端与散热区（31）端面电连接，所述散热区（31）位于MOSFET芯片（1）正下方且与MOSFET芯片（1）下表面之间通过软焊料层（6）电连接；所述第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）位于MOSFET芯片（1）另一侧，第一导电焊...

【技术特征摘要】
1.ー种四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体，包括MOSFET芯片(I)、环氧树脂层(2)，所述MOSFET芯片上表面(I)设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于还包括导电基盘(3)、第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)，所述导电基盘(3)由散热区(31)和基盘引脚区(32)组成，此基盘引脚区(32)由若干个相间排列的漏极引脚(321)组成，此漏极引脚(321) —端与散热区(31)端面电连接，所述散热区(31)位于MOSFET芯片(I)正下方且与MOSFET芯片(I)下表面之间通过软焊料层(6)电连接；所述第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)位于MOSFET芯片(I)另ー侧，第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)均包括焊接区(7)和引脚区(8)，焊接区(7)与引脚区(8)的连接处具有一折弯部(9)，从而使得焊接区(7)高于引脚区(8);—铝导体带(10)跨接于所述MOSFET芯片(I)的源极与第一导电焊盘(4)的焊接区(7)之间，所述铝导体带(10)与MOSFET芯片(I)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡乃仁，杨小平，李国发，钟利强，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：