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本发明公开一种四方扁平无引脚的功率MOSFET封装体，其导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的漏极引脚组成，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料层电连接；所述第一导电焊盘和第...
该专利属于苏州固锝电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州固锝电子股份有限公司授权不得商用。

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