半导体封装件及其制法制造技术

一种半导体封装件及其制法，包括：具有相对的第一与第二表面及侧面的介电层；铜材的线路层，其形成于该介电层的第一表面上，该线路层具有延伸垫；表面处理层，其形成于该线路层上；半导体芯片，其设于该线路层上并电性连接该表面处理层；以及形成于该介电层的第一表面上的封装胶体，其包覆该半导体芯片、线路层及表面处理层，且外露该介电层的第二表面，又该介电层的侧面与该封装胶体之间具有通孔，使该延伸垫位于该通孔中。借由外露于通孔的延伸垫结合焊球，因铜材与焊锡材料之间的电性连接较佳，所以可提升电性连接的品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种半导体封装件，尤指一种无承载件的半导体封装件。
技术介绍
传统以导线架作为芯片承载件的半导体封件的型态及种类繁多，就四边扁平无导脚(Quad Flat Non-leaded, QFN)半导体封装件而言,其特征在于未设置有外导脚，即未形成有如现有四边形平面(Quad Flat package,QFP)半导体封装件中用以与外界电性连接的外导脚，如此，将得以缩小半导体封装件的尺寸。然而伴随半导体产品轻薄短小的发展趋势，传统导线架的QFN封装件往往因其封装胶体厚度的限制，而无法进一步缩小封装件的整体高度，因此，业界便发展出一种无承载 件(carrierless)的半导体封装件，借由减低习用的导线架厚度，以令其整体厚度得以较传统导线架式封装件更为轻薄。请参阅图1，其为第5，830，800号美国专利所揭示的无承载件的半导体封装件，该半导体封装件I主要先于一铜板(未图标)上形成多数电镀焊垫14 ;再于该铜板上设置半导体芯片16并透过焊线17电性连接半导体芯片16及焊垫14，并进行封装模压制程以形成封装胶体18，再移除该铜板而外露该焊垫14，接着以拒焊层11定义出该焊垫14位置，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：介电层，其具有相对的第一表面与第二表面、及相邻该第一表面与第二表面的侧面；铜材的线路层，其形成于该介电层的第一表面上；表面处理层，其形成于该线路层上；半导体芯片，其设于该线路层上方并电性连接该线路层与表面处理层；以及封装胶体，其形成于该介电层的第一表面上以包覆该半导体芯片、线路层及表面处理层，且外露该介电层的第二表面，又该介电层的侧面与该封装胶体之间具有通孔，使部分该表面处理层位于该通孔中。

【技术特征摘要】
2011.06.23 TW 1001219581.一种半导体封装件，包括 介电层，其具有相对的第一表面与第二表面、及相邻该第一表面与第二表面的侧面； 铜材的线路层，其形成于该介电层的第一表面上； 表面处理层，其形成于该线路层上； 半导体芯片，其设于该线路层上方并电性连接该线路层与表面处理层；以及封装胶体，其形成于该介电层的第一表面上以包覆该半导体芯片、线路层及表面处理层，且外露该介电层的第二表面，又该介电层的侧面与该封装胶体之间具有通孔，使部分该表面处理层位于该通孔中。2.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该线路层具有延伸线路，该延伸线路的一端具有设于该介电层的第一表面上的第一接触垫，该延伸线路的另一端为形成于该表面处理层上而外露于该通孔的延伸垫。3.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该线路层具有第二接触垫，其形成于该介电层的第一表面上，令该半导体芯片设于该第二接触垫上方。4.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该介电层的第二表面上具有多个连通该介电层的第一表面的开孔，以外露出该线路层的部分表面。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括形成于该开孔中的焊球，以电性连接该线路层。6.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该表面处理层的结构为形成于该线路层上的金层、形成于该金层上的镍层、及形成于该镍层上的金、铅或银材。7.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括形成于该通孔中的焊球。8.一种半导体封装件的制法，其包括 提供一承载板，于该承载板的表面上定义承载区与邻接该承载区外的延伸区； 形成介电层于该承载板的承载区上，且该介电层具有外露的第一表面、结合至该承载板上的第二表面、及相邻该第一与第二表面的侧面； 形成铜材的线路层于该介电层的第一表面与该承载板延伸区的部分表面上，该线路层具有延伸线路，该延伸线路的两端具有第一接触垫与延伸垫，该第一接触垫形成于该介电层的第一表面上，而该延伸垫形成于该承载板延伸区上； 形成表面处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪良易，白裕呈，孙铭成，林俊贤，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：