电容结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种电容结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有底部绝缘层；在所述底部绝缘层上沉积第一金属层；刻蚀所述第一金属层，形成第一电极；形成覆盖所述第一电极的电容介质层；在所述电容介质层上形成第二金属层，所述第二金属层的厚度大于第一金属层的厚度；刻蚀所述第二金属层，形成第二电极，所述第二电极、电容介质层和第一电极构成电容结构。本发明专利技术解决了现有的电容结构可靠性较差、击穿电压偏低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
在现有的集成电路制造工艺中，电容结构作为一种常见的无源器件，通常利用MIM(Metal-Insulator-Metal)结构实现。请参考图I所示的现有的电容结构示意图，电容结构包括半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有底部绝缘层20 ;第一电极30，位于所述底部绝缘层20上，所述第一电极30的材质为铝，厚度范围为800(T20000埃，所述第一电极30作为电容结构的下电极；电容介质层40，位于第一电极30上，所述电容介质层40的材质为氮化硅，厚度范围为20(T1000埃，所述电容介质层40作为电容结构的绝缘层；第二电极50，位于所述电容介质层40上，所述第二电极50作为电容的上电极；顶部绝缘层70，覆盖所述底部绝缘层20、第一电极30和和第二电极50，所述顶部绝缘层70内形成有第一互连线61和第二互连线62，所述第一互连线61与第一电极30电连接，所述第二互连线62与第二电极50电连接。在实际中发现，现有的电容结构的可靠性较差，击穿电压(breakdown voltage)偏低。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供了一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有底部绝缘层；在所述底部绝缘层上沉积第一金属层；刻蚀所述第一金属层，形成第一电极；形成覆盖所述第一电极的电容介质层；在所述电容介质层上形成第二金属层，所述第二金属层的厚度大于第一金属层的厚度；刻蚀所述第二金属层，形成第二电极，所述第二电极、电容介质层和第一电极构成电容结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵波，刘玮荪，林益海，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：