金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法技术

本发明专利技术公开了一种金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法。这种方法能够使得非晶硅薄膜的晶化微区形成点阵，可用于微器件的制造。该方法主要包括以下步骤：（1）金属点阵制备。首先在衬底材料上制备金属点阵。金属材料可以是Ni、Al、Au、Ag、Pd等可诱导非晶硅晶化的任意一种或几种金属。金属点阵的制备方法可以通过光刻的方法以光刻胶做掩模，然后镀金属薄膜，再将光刻胶去掉。金属薄膜可以通过蒸发、溅射、化学气相沉积等薄膜制备手段制备。（2）非晶硅薄膜制备。在制备了金属点阵的衬底上制备非晶硅薄膜。（3）通过退火的过程使得金属点阵区域的非晶硅晶化，得到非晶硅晶化点阵。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术专利属于微电子和光电子材料和器件制造领域，涉及一种通过在金属诱导非晶硅晶化过程中，形成有序的硅晶粒点阵的方法。
技术介绍
金属诱导晶化非晶硅薄膜晶化是一种在低温条件下制备优质多晶硅薄膜的方法，具有晶化温度低、晶粒尺寸大、制备成本低的优点，在微电子和光电子器件制备上有重要的 应用。常用的金属材料有附3131138、？(1、11、(>等。目前通常采用的方法通常有向非晶硅薄膜中通过离子注入金属元素、在非晶硅薄膜上沉积一层金属薄膜等方法诱导非晶硅薄膜晶化。通过这些方法诱导晶化的硅晶粒通常是无序和随机地分布在薄膜中。 专利技术目的本专利技术的的目的在于通过有序金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化，实现晶化后薄膜中的娃晶粒有序的点阵分布。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种能够在金属诱导非晶硅薄膜晶化过程中，使得晶化后的薄膜中硅晶粒形成有序的点阵分布。(I)金属点阵制备通过光刻的方法在衬底上形成光刻胶掩模，掩模上制备有有序排列的小孔。然后通过镀金属薄膜的方法将金属薄膜沉积到光刻胶的掩模上。去掉光刻胶后在衬底上形成金属点的阵列。也可以通过先在衬底上镀金属薄膜，然后在薄膜表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属诱导非晶硅薄膜晶化形成硅晶粒点阵的方法，其特征在于步骤在于：（1）金属点阵的制备；（2）非晶硅薄膜的制备；(3)非晶硅薄膜的金属诱导晶化。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱开贵，陈芳芳，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：