【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制成1C、LSI等半导体装置的硅晶片，并且涉及一种1C、LSI等半导体装置。
技术介绍
用于制成IC、LSI等半导体装置的硅晶片表面的凹凸，是例如像非专利文献I所示那样使 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)的电流驱动能力劣化的主要原因，要求对其表面极力地进行平坦化(非专利文献I)。另一方面，据报道，在1200°C的Ar气氛下对硅晶片进行处理时，能够形成显现原子水平的台阶和平台结构的终极的平坦表面(非专利文献2)。现有技术文献非专利文献非专利文献I :T. Ohmi,K. Kotani, A. Teramoto, and M. Miyashita, IEEE Elec. Dev.Lett.，12,652(1991).非专利文献2 L. Zhong, A. Ho jo, Y. Matsushita, Y. Aiba, K. Hayashi, R. Takeda,H. Shirai, and H. Saito, Phy. Rev. B....
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，寺本章伸，诹访智之，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：
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