集成无源器件及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种集成无源器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成第一导电层；在所述半导体衬底内形成互连孔和电容孔，所述电容孔与所述第一导电层相邻接；在所述互连孔内形成互连插塞；在所述电容孔的侧壁和底部形成绝缘层；在所述电容孔内形成第二导电层，所述第二导电层、绝缘层与所述第一导电层构成电容。本发明专利技术提高了用于芯片之间的垂直导通的互连电容的电容值范围，满足了应用的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及包含有电容的。
技术介绍
娃通孔技术(TSV, Through-Silicon-Via)是通过在芯片和芯片之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，TSV技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。现有的硅通孔技术通常在所述半导体衬底上形成集成无源器件。所述集成无源器件包括互连电容和互连插塞。其中互连插塞的制作方法包括在半导体衬底一侧的表面 上形成互连孔，所述半导体衬底内还形成有半导体器件；然后在所述互连孔内填充金属，形成互连插塞；接着需要对所述半导体衬底的另一侧的表面进行减薄，直至露出所述互连插塞的底部，所述互连插塞作为所述半导体衬底内形成的半导体器件与其他半导体衬底内形成的半导体器件之间电连接的互连线。所述互连电容的制作方法包括在所述半导体衬底一侧的表面上依次形成相互平行的第一电极板、绝缘层和第二电极板，所述第一电极板、绝缘层和第二电极板与所述半导体衬底一侧的表面平行。具体地，请参考图I所示的现有技术的集成无源器件的结构示意图。所述集成无源器件包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成无源器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成第一导电层；在所述半导体衬底内形成互连孔和电容孔，所述电容孔与所述第一导电层相邻接；在所述互连孔内形成互连插塞；在所述电容孔的侧壁和底部形成绝缘层；在所述电容孔内形成第二导电层，所述第二导电层、绝缘层与所述第一导电层构成电容。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：