PIP、PPS电容器的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种PIP电容器的制作方法，包括：在衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构上沉积第一多晶硅；刻蚀所述第一多晶硅以暴露出所述浅沟槽隔离结构的边缘；在所述第一多晶硅和所述浅沟槽隔离结构上依次沉积第一介质层、第二多晶硅和第二介质层；依次刻蚀所述第二介质层、第二多晶硅和第一介质层，形成暴露出所述第一多晶硅顶部的第一接触孔，并刻蚀所述第二介质层，形成暴露出所述第二多晶硅顶部的第二接触孔；在所述上述结构表面沉积金属，形成互连线。本发明专利技术在PIP电容器制作中形成一个与PIP电容并联的电容，从而提高单位面积电容。

【技术实现步骤摘要】
PIP、PPS电容器的制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种PIP、PPS电容器的制作方法。
技术介绍
PIP(poly-insulator-poly，多晶硅-绝缘层-多晶硅)电容器是一种广泛用于防止模拟电路发射噪音和频率调制的器件。由于PIP电容器具有由多晶硅(与逻辑电路的栅极电极的材料相同)形成的下部电极和上部电极，因此PIP电容器的电极可以与栅电极一起形成，而无需单独的形成工艺。PPS(Polypropylenefilm，聚丙烯薄膜)电容器也具有由多晶硅(与逻辑电路的栅极电极的材料相同)形成的下部电极和上部电极，PPS电容器的电极也可以与栅电极一起形成，而无需单独的形成工艺。由于PIP电容器和PPS电容器的电极均可以与栅电极一起形成，而无需单独的形成工艺，在器件需要大电容的情况下，通常使用PIP电容器和PPS电容器。在现有的电擦除可编辑的只读存储器(electricallyerasableprogrammableROM，EEPROM)中，PIP电容、PPS电容和晶体管电容都以广泛被作为电容器件使用，但是，一般情况下PIP电容会被单独形成在场区，PPS电容单独形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PIP电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构上沉积第一多晶硅，刻蚀所述第一多晶硅以暴露出所述浅沟槽隔离结构的边缘；在所述第一多晶硅和所述浅沟槽隔离结构上依次沉积第一介质层、第二多晶硅和第二介质层；依次刻蚀所述第二介质层、第二多晶硅和第一介质层，形成暴露出所述第一多晶硅顶部的第一接触孔，并刻蚀所述第二介质层，形成暴露出所述第二多晶硅顶部的第二接触孔；在所述第一接触孔内、第二接触孔内和第二介质层表面沉积金属，形成互连线。

【技术特征摘要】
1.一种PIP电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构上沉积第一多晶硅，刻蚀所述第一多晶硅以暴露出所述浅沟槽隔离结构的边缘；在所述第一多晶硅和所述浅沟槽隔离结构上依次沉积第一介质层、第二多晶硅和第二介质层；依次刻蚀所述第二介质层、第二多晶硅和第一介质层，形成暴露出所述第一多晶硅顶部的第一接触孔，并刻蚀所述第二介质层，形成暴露出所述第二多晶硅顶部的第二接触孔；在所述第一接触孔内、第二接触孔内和第二介质层表面沉积金属，形成互连线。2.根据权利要求1所述的PIP电容器的制作方法，其特征在于：所述第二介质层包括氮化硅层和氧化层。3.根据权利要求2所述的PIP电容器的制作方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为100-700埃，所述氧化层的厚度为200-5...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡勇，李冰寒，江红，于涛，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：