无基岛芯片倒装无源器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种无基岛芯片倒装无源器件封装结构，它包括外引脚（1），所述外引脚（1）正面通过多层电镀方式形成内引脚（2），所述内引脚（2）正面与内引脚（2）正面之间跨接有芯片（3）和无源器件（9），所述内引脚（2）正面与芯片（3）之间设置有锡球（8），所述内引脚（2）上部以及芯片（3）外包封有塑封料（5），所述外引脚（1）外围的区域以及外引脚（1）与外引脚（1）之间的区域均嵌置有填缝剂（6），所述外引脚（1）背面设置有第二金属层（7）。本实用新型专利技术的有益效果是：它省去了背面的耐高温胶膜，降低了封装成本，球焊的质量与产品可靠度的稳定性好，塑封体与金属脚的束缚能力大，实现了内引脚的高密度能力。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种无基岛芯片倒装无源器件封装结构，属于半导体封装技术领 域。
技术介绍
传统的引线框结构主要有两种第一种采用金属基板进行化学蚀刻及电镀后，在金属基板的背面贴上ー层耐高温的胶膜形成可以进行封装过程的引线框载体(如图3所示)；第二种采用首先在金属基板的背面进行化学半蚀刻，再将前述已经过化学半蚀刻的区域进行塑封料的包封，之后将金属基板的正面进行内引脚的化学蚀刻，完成后再进行引线框内引脚表面的电镀，即完成引线框的制作(如图5所示)。而上述两种引线框在封装过程中存在了以下不足点第一种I、此种的引线框架因背面必须要贴上ー层昂贵可抗高温的胶膜，所以直接増加了高昂的成本；2、也因为此种的引线框架的背面必须要贴上ー层可抗高温的胶膜，所以在封装过程中的装片エ序时需要使用300°C高温锡材与引线框的内脚进行互联，而引线框背面因为要预防对装エ艺流程中的塑封エ序造成的溢料须贴上抗高温的软性胶膜，虽然是抗高温形态，但也只能承受约260°C的温度，完全不能适应芯片倒装所需要的300°C高温锡材与引线框的内脚进行互联能力。3、再因为此种的引线框架的背面必须要贴上ー层可抗高温的胶膜，而在封装过程中的塑封エ艺过程，因为塑封时的注胶压カ很容易造成引线框架与胶膜之间渗入塑封料，而将原本应属金属脚是导电的型态因为渗入了塑封料反而变成了绝缘脚(如图4所示)。第二种I、因为分别进行了二次的蚀刻作业，所以多増加了エ序作业的成本；2、引线框的组成是金属物质加环氧树脂物质(塑封料)所以在高温下300°C高温锡材与引线框的内脚进行互联时，容易因为不同物质的膨胀与收缩应カ的不相同，产生引线框翘曲问题；3、也因为引线框的翘曲直接影响到封装エ序中的装置芯片的精准度与引线框传送过程的顺畅从而影响生产良率；4、因为引线框正面的内引脚是采用蚀刻的技术，所以蚀刻内引脚的脚宽必须大于lOOMffl，而内引脚与内引脚的间隙也必须大于lOOMffl，所以较难做到内引脚的高密度能力。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种无基岛芯片倒装无源器件封装结构，它省去了背面的耐高温胶膜，降低了封装成本，可选择的产品种类广，芯片倒装键合的质量与产品可靠度的稳定性好，塑封体与金属脚的束缚能力大，实现了内引脚的高密度能力。本技术的目的是这样实现的一种无基岛芯片倒装无源器件封装结构，其特点是它包括外引脚，所述外引脚正面通过多层电镀方式形成内引脚，所述内引脚正面与内引脚正面之间跨接有芯片和无源器件，所述内引脚正面与芯片之间设置有锡球，所述内引脚上部以及芯片外包封有塑封料，所述外引脚外围的区域以及外引脚与外引脚之间的区域均嵌置有填缝剂，且外引脚的背面露出填缝剂外，在露出填缝剂外的外引脚背面设置有第ニ金属层。所述第一金属层可以采用镍、铜、镍、钯、金五层金属层或镍、铜、银三层金属 层，或者其他类似结构。以镍、铜、镍、钯、金五层金属层为例，其中第一层镍层主要起到抗蚀刻阻挡层的作用，而中间的铜层、镍层和钯层主要起结合增高的作用，最外层的金层主要起到与金属线键合的作用。所述第二金属层的成分根据不同的芯片可以采用金镍金、金镍铜镍金、镍钯金、金镍钮金、镍金、银或锡等。与现有技术相比，本技术的有益效果是I、此种引线框的背面不需贴上一层昂贵的可抗高温的胶膜，所以直接降低了高昂的成本；2、也因为此种引线框的背面不需要贴上ー层可抗高温的胶膜，所以在芯片倒装所需使用的300°C高温锡材与引线框的内脚进行互联时，全金属的引线框不会产生因不同物质在闻温所广生的对应变形；3、再因为此种的引线框的背面不需要贴上ー层可抗高温的胶膜，因而在封装的エ艺过程中完全不会造成引线框与胶膜之间渗入塑封料；4、由于正面采用了细线电镀的方法，所以正面的引脚宽度最小可以达到25Mm，以及内引脚与内引脚之间的距离最小达到25Mm，充分地体现出引线框内引脚的高密度能力；5、由于应用了正面内引脚的电镀方式与背面蚀刻技术，所以能够将引线框正面的引脚尽可能的延伸到基岛的旁边，促使芯片与引脚距离大幅的缩短，如此芯片的散热能力也因距离缩短而加速散热；6、也因为芯片与内脚的距离大幅的缩短使得芯片的信号输出速度也大幅的增速(尤其存储类的产品以及需要大量数据的计算更为突出)，由于芯片与内脚的距离大幅的变短了，所以在金属线所存在的寄生电阻、寄生电容与寄生电感对信号的干扰也大幅度的降低；7、因运用了内引脚的电镀延伸技术，所以可以容易的制作出高脚数与高密度的脚与脚之间的距离，使得封装的体积与面积可以大幅度的缩小；8、因为将封装后的体积大幅度的缩小，更直接的体现出材料成本大幅度的下降，由于材料用量的減少，也大幅度地減少了废弃物等环保问题困扰。附图说明图I为本技术一种无基岛芯片倒装无源器件封装结构示意图。图2为图I的俯视图。图3为以往四面无引脚引线框背面贴上耐高温胶膜的示意图。图4为以往背面贴上耐高温胶膜的四面无引脚引线框封装时溢料的示意图。图5为以往预包封双面蚀刻引线框的结构示意图。其中外引脚I 内引脚2芯片3导电或不导电粘结物质4塑封料5填缝剂6第二金属层7锡球8无源器件9。具体实施方式參见图I、图2，本技术一种无基岛芯片倒装无源器件封装结构，它包括外引脚1，所述外引脚I正面通过多层电镀方式形成内引脚2，所述内引脚2正面与内引脚2正面之间通过导电或不导电粘结物质4跨接有芯片3和无源器件9，所述内引脚2正面与芯片3之间设置有锡球8，所述内引脚2上部以及芯片3外包封有塑封料5，所述外引脚I外围的区域以及外引脚I与外引脚I之间的区域均嵌置有填缝剂6，且外引脚I的背面露出填缝剂6タト，在露出填缝剂6外的外引脚I背面设置有第二金属层7。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无基岛芯片倒装无源器件封装结构，其特征在于它包括外引脚(1)，所述外引脚(I)正面通过多层电镀方式形成内引脚(2)，所述内引脚(2)正面与内引脚(2)正面之间跨接有芯片(3)和无源器件(9)，所述内引脚(2)正面与芯片(3)之间设置有锡球(8...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，梁志忠，谢洁人，吴昊，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：