制作半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供前端器件结构，前端器件结构包括衬底、在衬底上的栅介质层、在栅介质层上的伪栅极、以及覆盖栅介质层和伪栅极的刻蚀停止层；采用三氟化氮处理工艺对刻蚀停止层进行刻蚀至露出伪栅极的上表面；在刻蚀后的刻蚀停止层和伪栅极上形成金属前介电层；平坦化金属前介电层至露出伪栅极的上表面；以及去除伪栅极，以形成填充开口。根据本发明专利技术的方法利用三氟化氮处理工艺对刻蚀停止层进行刻蚀，可以减小金属前介电层所填充的间隙的高度，并使该间隙的开口增大，因此，该工艺方法有效改善了金属前介电层的填充能力，消除了在间隙底部产生孔洞的可能性，改善了半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造工艺，特别涉及一种。技术背景随着栅极尺寸缩短至几十纳米，栅氧化物层的厚度降至3nm以下，引发了栅极电阻过大、栅泄漏增大以及多晶硅栅出现空乏现象等问题。因此，人们又将目光重新投向金属栅极技术，金属栅极技术采用具有较低电阻的金属作为栅极，并且采用具有较大介电常数的材料作为栅介电层。金属栅极技术包括先形成栅(Gate-first)工艺和后形成栅(Gate-last)工艺。 Gate-first工艺是指在对硅片进行漏/源区离子注入以及随后的高温退火步骤之后再形成金属栅极，Gate-last工艺则与之相反。由于(kite-first工艺中金属栅极需经受高温工序，因此该工艺可能会引起热稳定性、阈值电压漂移和栅堆叠层再生长等问题，这对于PMOS 来说是非常严重的问题。图1A-1D为采用现有技术的Gate-last工艺形成半导体器件过程中各步骤的剖视图。如图IA所示，提供前端器件结构。首先，提供衬底101，在衬底101上定义器件有源区并完成浅沟槽隔离。接着，在衬底101上形成栅介质层102。然后，在栅介质层102上形成伪栅极103a和10北，进行离子注入和高温退火工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：