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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供前端器件结构，前端器件结构包括衬底、在衬底上的栅介质层、在栅介质层上的伪栅极、以及覆盖栅介质层和伪栅极的刻蚀停止层；采用三氟化氮处理工艺对刻蚀停止层进行刻蚀至露出伪栅极的上表面；在刻蚀后的刻蚀...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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