半导体器件制造技术

本发明专利技术提供了一种具有在同一个半导体衬底中的ＩＧＢＴ元件区和二极管元件区的反向导电型半导体器件。电流检测区与所述ＩＧＢＴ元件区相邻布置，并且所述ＩＧＢＴ元件区的集电极区延伸以与电流检测区的集电极区连接。能够抑制由ＩＧＢＴ和二极管之间的界线部分所引起的ＩＧＢＴ检测电流中的不稳定性。以相同的方式，电流检测区与所述二极管元件区相邻布置，并且二极管元件区的阴极区延伸以与所述电流检测区的阴极区连接。能够抑制由ＩＧＢＴ和二极管之间的界线部分所引起的二极管检测电流中的不稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及这样一种半导体器件其中绝缘栅型双极晶体管(IGBT)元件区和二极管元件区二者形成在同一个半导体衬底中。
技术介绍
为了免受由于过度施加的电流等造成的损坏的目的，半导体器件设置有电流检测区来检测流过半导体器件的电流。公开号为H7-245394的日本专利申请公开了一种半导体器件，该半导体器件具有其中形成有IGBT的主活跃区(主单元区)、以及用于检测流过主活跃区的电流的电流检测区(检测器单元区)，其中主活跃区和电流检测区设置在同一个半导体衬底中。与主活跃区上的IGBT相同的IGBT形成在电流检测区中，并且电流检测区与主活跃区间隔开100 μ m以上。在这种构造中，防止了在电流检测区和主活跃区之间的界线区处的载流子干扰，并且流过主活跃区的主电流和所检测到的流过电流检测区的电流之间的电流比率保持为基本恒定。
技术实现思路
借助于IGBT元件区和二极管元件区形成在相同的半导体衬底中的反向导电型半导体器件，第二导电型集电极区、第一导电型漂移区和第二导电型主体区依次层叠在所述 IGBT元件区中，并且第一导电型阴极区、第一导电型漂移区和第二导电型主体区依次层叠在所述二极管元件区中。借助于这本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件，包括：ＩＧＢＴ元件区；二极管元件区；以及第一电流检测区，其配置为至少能够检测流过所述ＩＧＢＴ元件区的ＩＧＢＴ电流，其中，所述ＩＧＢＴ元件区、所述二极管元件区和所述第一电流检测区形成在同一个半导体衬底中，第二导电型集电极区、第一导电型漂移区和第二导电型主体区依次层叠在所述ＩＧＢＴ元件区中，第二导电型集电极区、第一导电型漂移区和第二导电型主体区依次层叠在所述第一电流检测区的至少一部分中，第一导电型阴极区、第一导电型漂移区和第二导电型主体区依次层叠在所述二极管元件区中，所述第一电流检测区与所述ＩＧＢＴ元件区相邻布置，并且所述ＩＧＢＴ元件区的所述集电极区延伸以与所述第一电流检测区的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：添野明高，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：JP