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本发明提供了一种具有在同一个半导体衬底中的ＩＧＢＴ元件区和二极管元件区的反向导电型半导体器件。电流检测区与所述ＩＧＢＴ元件区相邻布置，并且所述ＩＧＢＴ元件区的集电极区延伸以与电流检测区的集电极区连接。能够抑制由ＩＧＢＴ和二极管之间的界线部分...
该专利属于丰田自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。

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