绝缘栅双极晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。本实用新型专利技术所提供的绝缘栅双极晶体管，由于其元胞结构呈正六角形形状或正方形形状，因此，单位元胞内垂直导电沟道区的面积占单位元胞总面积的比值较大，从而使得器件的导通电阻较小；而且，采用正六角形形状或正方形形状作为绝缘栅双极晶体管的元胞结构，能够使得各元胞更紧密地结合，从而使得电流分布更均匀，还能提高器件的表面利用率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体地说，涉及一种绝缘栅双极晶体管。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(InsulateGate Bipolar Transistor, IGBT)，兼具电力晶体管(Giant Transistor, GTR)和场效应晶体管(MOSFET)的多项优点，具有良好的特性。其作为新型电力半导体器件的主要代表，被广泛应用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空等领域。由于IGBT器件的电流容量与其沟道宽度成正比，因此，在设计时应使能承受大电流的IGBT具有尽可能大的沟道宽度。而为了增大器件的沟道宽度，通常在有限的芯片面积上把一个大器件分成数量很多的小器件，并把所述多个小器件并联起来，其中，每一个小器件称为IGBT的一个单元或元胞。IGBT元胞结构的不同极大地影响着器件的性能参数，如元胞结构的不同可影响导通电阻，而导通电阻又决定了器件的导通电流和功率损耗。现有工艺中常见的IGBT的元胞结构为条状结构，参考图1、图2和图3，图1示出了现有工艺中常见的IGBT条状元胞结构的俯视图，图中示出了发射极区1、栅极区2、连接发射极区1的接触孔3 ；图2和图3分别为平本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵佳，朱阳军，孙宝刚，卢烁今，左小珍，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：实用新型
国别省市：11