一种场限环结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种场限环结构，包括第一导电类型的衬底、衬底内的第二导电类型的主结区以及第二导电类型的场限环，z轴方向为主结区及场限环的长度方向，其特征在于，在主结区与相邻场限环之间以及各相邻场限环之间的衬底内、沿z轴方向上形成有PIN结构。通过形成具有PIN结构的场限环结构，使得场限环之间的电场分布形状呈矩形，矩形的电场分布降低了电场峰尖，大大提高了相邻场限环承受的电压，实现了在相对较小的终端面积下具有较高的击穿电压，同时PIN结构难于形成反型层或积累层，可以屏蔽界面电荷的影响，改善电场分布，保证击穿电压的同时提高了可靠性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造技术，更具体地说，涉及一种IGBT的结终端结构及其制造方法。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(IGBT，InsulatedGate Bipolar Transistor)是新型的大功率器件，它集MOSFET栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点。在变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能源、智能电网等诸多领域获得了广泛的应用空间。而要确保IGBT高电压的一个重要前提条件是优良的终端保护结构，目前广泛用于高压O500V及其以上)IGBT的终端保护结构主要是场限环(FLR)和结终端延伸结构 (JTE)。如图1所示，场限环结构(以ρ型沟道为例说明)主要包括内图的分压保护区101 和外图的沟道截止环102，分压区包括主结区104和场限环105、106(以包括两个场限环的结构为例，Pl环105和p2环106)，主结区104与场限环105、106间隔排列，他们具有相同的扩散深度和掺杂浓度，分压保护区101和沟道截止区102都形成在N_的衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种场限环结构，包括第一导电类型的衬底、衬底内的第二导电类型的主结区以及第二导电类型的场限环，，ｚ轴方向为主结区及场限环的长度方向，其特征在于，在主结区与相邻场限环之间以及各相邻场限环之间的衬底内、沿ｚ轴方向上形成有ＰＩＮ结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田晓丽，朱阳军，吴振兴，张彦飞，卢烁今，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：实用新型
国别省市：11