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本实用新型公开了一种场限环结构，包括第一导电类型的衬底、衬底内的第二导电类型的主结区以及第二导电类型的场限环，z轴方向为主结区及场限环的长度方向，其特征在于，在主结区与相邻场限环之间以及各相邻场限环之间的衬底内、沿z轴方向上形成有PIN结构...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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