半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括：具有第一半导体层（１１）和形成于第一表面（１１ａ）上的第二半导体层（１２）的半导体衬底（１０）；具有第一电极（２０）和第二电极（２１）的二极管（３０）；控制焊盘（４２）；与所述控制焊盘（４２）电耦合的控制电极（４１）；以及绝缘构件（４４，４６）。在所述第一半导体层（１１）的第二表面（１１ｂ）上形成所述第一电极（２０）。在第一表面（１１ａ）上形成第二电极（２１）。电流在第一电极（２０）和第二电极（２１）之间流动。控制焊盘（４２）布置于第一表面（１１ａ）上，使得所述焊盘（４２）输入控制信号，用于控制注入所述第一半导体层中的载流子的量。所述绝缘构件（４４，４６）在所述控制电极（４１）和所述第二电极（２１）之间以及在所述控制电极（４１）和所述半导体衬底（１０）之间绝缘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有二极管的半导体装置。具体而言，本专利技术涉及一种绝缘栅型半导体装置，例如具有沟槽栅极结构的绝缘栅型晶体管(例如IGBT)。
技术介绍
常规地，例如，如JP-A-2003-318412中所述，公开了一种具有二极管的半导体装置，二极管用于使电流在阳极层和阴极层之间流动。按照下述顺序堆叠阳极层、杂质浓度低于阳极层的漂移层以及杂质浓度高于漂移层的阴极层。在这里，对二极管要求的一般性能之一是功率损耗低。二极管的功率损耗表现为固定损耗和开关损耗之和。在正向电流流动时产生固定损耗，在反向电流流动时产生开关损耗。固定损耗的特征在于在少数载流子注入漂移层的量变大时固定损耗减少。开关损耗的特征在于在少数载流子注入漂移层的量变小时开关损耗减少。因此，固定损耗和开关损耗之间的关系是此消彼长的关系。另一方面，在常规技术中，通过控制阳极层和漂移层的杂质浓度分布和/或通过对阳极层构图来调节少数载流子的注入量，从而调节固定损耗和开关损耗。不过，由于以上调节方法中的每种是在二极管(即半导体装置)的制造过程期间执行的，所以在制造半导体装置之后不能灵活地调节少数载流子的注入量和累积量。于是会发生问本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体装置，包括：半导体衬底（１０），包括具有第一导电类型的第一半导体层（１１）、以及至少一个具有第二导电类型且形成于所述第一半导体层（１１）的第一表面（１１ａ）的表面部分中的第二半导体层（１２）；包括第一电极（２０）和第二电极（２１）的二极管（３０）；控制焊盘（４２）；与所述控制焊盘（４２）电耦合的控制电极（４１）；以及绝缘构件（４４，４６），其中在所述第一半导体层（１１）的第二表面（１１ｂ）上形成所述第一电极（２０），其中在所述第一半导体层（１１）的所述第一表面（１１ａ）上形成所述第二电极（２１），其中电流在所述第一电极（２０）和所述第二电极（２１）之间流动，其中所述控制焊盘（４２...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山雅纪，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：JP