具有延伸阱的非易失性存储器单元制造技术

本发明专利技术涉及具有延伸阱的非易失性存储器单元。一个实施例涉及一种存储器器件。所述存储器器件包括具有第一电容器平板和第二电容器平板的电容器，其中第一和第二电容器平板通过绝缘层分开并且被形成在半导体衬底的第一部分之上。所述存储器器件还包括具有源极区、漏极区和栅极区的晶体管，其中所述栅极区耦合到第二电容器平板。所述晶体管被形成在所述半导体衬底的第二部分之上。阱区设置在所述半导体衬底的第一和第二部分中并且具有与所述半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂类型。还公开了其他实施例。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有延伸阱(well)的非易失性存储器单元的领域。
技术介绍
存在被用来存储数据的许多不同类型的存储器。一种存储器类型是电可擦除可编程只读存储器(EEPR0M)，其被用在许多电子产品中(例如用来存储用于工业和汽车传感器的校准和顾客特定数据)。图1示出了传统EEPROM存储器单元100的电路示意图。EEPROM 存储器单元100包括第一晶体管102 (例如通常是NMOS晶体管)，其具有耦合到其栅极的电容器104。(关联到第一晶体管的栅极的)所述电容器的第一平板可以被称为浮动栅极(re)， 而所述电容器的第二平板可以被称为控制栅极(CG)。为了对存储器单元100进行写入，可以向控制栅极CG选择性地施加电压以从浮动栅极re添加电荷或减少电荷，从而将所述存储器单元编程到所期望的数据状态。由于浮动栅极re被电隔离，因此位于所述浮动栅极上的任何电荷都被捕获在那里并且将在那里保持延伸时间段(例如几年)或者直到它通过将另一个数据状态写入到该单元而被去除为止。 因此，EEPROM单元被说成是非易失性的，因为即使从所述单元断电，数据内容仍保持在那里。例如，为了向存储器单元写入第一数据状本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种存储器器件，包括：具有第一电容器平板和第二电容器平板的电容器，其中第一和第二电容器平板通过绝缘层分开并且被形成在半导体衬底的第一部分之上；具有源极区、漏极区和栅极区的晶体管，所述栅极区耦合到第二电容器平板；其中所述晶体管被形成在所述半导体衬底的第二部分之上；以及设置在所述半导体衬底的第一和第二部分中并且其掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相反的阱区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D卢卡舍维奇，
申请(专利权)人：D卢卡舍维奇，
类型：发明
国别省市：DE