本发明涉及对称差分非易失性存储器单元。一些实施例涉及一种差分储存器单元。该存储器单元包括具有源极、漏极、栅极和本体的第一晶体管。第一电容器具有第一板和第二板，其中第一板耦合到第一晶体管的栅极并且在本体区之上延伸。该存储器单元也包括具有源...

本发明涉及具有延伸阱的非易失性存储器单元。一个实施例涉及一种存储器器件。所述存储器器件包括具有第一电容器平板和第二电容器平板的电容器，其中第一和第二电容器平板通过绝缘层分开并且被形成在半导体衬底的第一部分之上。所述存储器器件还包括具有源...