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本发明涉及具有延伸阱的非易失性存储器单元。一个实施例涉及一种存储器器件。所述存储器器件包括具有第一电容器平板和第二电容器平板的电容器，其中第一和第二电容器平板通过绝缘层分开并且被形成在半导体衬底的第一部分之上。所述存储器器件还包括具有源极区...
该专利属于D.卢卡舍维奇所有，仅供学习研究参考，未经过D.卢卡舍维奇授权不得商用。

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