【技术实现步骤摘要】
本专利技术的示例性实施例总体而言涉及制造非易失性存储器件的方法，更具体而言 涉及制造非易失性存储器件的浮置栅的方法。
技术介绍
NAND快闪存储器件(即，非易失性存储器件)包括串联耦合以形成单位串的多个 存储器单元。NAND快闪存储器件在代替其他的记忆棒、通用串行总线(Universal Serial Bus, USB)驱动器和硬盘来使用的方面以及NAND快闪存储器件的应用正在不断增长和扩展。为改善现有的非易失性存储器单元的阈值电压分布的均勻性，浮置栅由第一导电 层和第二导电层形成。例如，第一导电层可以由未掺杂的多晶硅层形成，第二导电层可以由 掺杂的多晶硅层形成。在未掺杂的多晶硅层的情况下，由于未掺杂的多晶硅层具有比掺杂 的多晶硅层小的晶粒尺寸，因而形成了小的氧化物谷(oxide valley)，并且由于小的氧化 物谷而产生了低的Fowler-Nordheim(FN)电流。然而，由于每单位面积的氧化物谷的数量 可能增加，因此在晶粒尺寸比普通多晶硅的晶粒尺寸小的纳米晶粒多晶硅中，根据有效临 界尺寸而出现的FN电流的偏移更加均勻。然而，即使可以使用纳米晶粒多晶硅，但...
【技术保护点】
１．一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底之上形成隧道绝缘层；去除所述隧道绝缘层的形成在所述半导体衬底的隔离区之上的部分，来形成使所述半导体衬底的一部分暴露的隧道绝缘图案；在所述隧道绝缘图案和所述半导体衬底的暴露部分之上形成单晶材料的第一导电层；以及在所述第一导电层之上形成第二导电层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄胜民，金铉修，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR
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