半导体器件的制造方法以及半导体器件技术

本公开涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。一种在研磨半导体晶片的背面侧的工艺中防止主面侧的污染的方法。在要研磨背面侧的半导体晶片的划片区的相交区处，以与将构成布线层的绝缘层叠置在器件区上相同的方式在主面上叠置多个绝缘层。此外，在与设置在为器件区形成的多个布线层中的最上层上的最上布线相同的层中，形成金属图案。而且，还在金属图案上形成覆盖最上布线的第二绝缘层以便覆盖金属图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造技术，尤其涉及当应用于通过研磨半导体器件的 背侧减小厚度的半导体器件时有效的技术。
技术介绍
作为减小半导体器件厚度的技术，存在像在半导体晶片的主面上形成集成电路之 后研磨其背侧的技术。例如，已公开日本专利2004-253678(专利文献1)描述了半导体晶片背面的研磨， 以及之后，为要切断划线的一部分形成由聚酰亚胺树脂组成的提层图案。专利文献1描述 了在研磨半导体晶片的背面时可以防止研磨液渗入表面保护带与划线之间的间隙中。此外，例如，已公开日本专利1993-315304(专利文献2)描述了为晶片的外围部分 均勻地形成聚酰亚胺膜。专利文献2描述了提高晶片与保护片之间的粘性，以便可以防止 水、酸等渗透到晶片表面。此外，例如，已公开日本专利2001-274129(专利文献3)描述了在以网格状延伸的 划线的相交区(intersection)附近形成由聚酰亚胺树脂组成的提层。专利文献3描述了 在研磨背面的工艺中在晶片的外围可以不用聚酰亚胺膜来防止研磨废料透过凹部。
技术实现思路
半导体器件是通过对由例如单晶硅制成的半导体晶片进行成膜、光刻、蚀刻、掺杂 等形成集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件含有主面、与所述主面相反的背面、在所述主面上形成的多个器件区和设置在所述器件区之间的划片区，所述方法包括：（ａ）供应研磨液并研磨所述半导体晶片的所述背面，其中覆盖所述主面的保护片粘贴至半导体晶片的所述主面；以及（ｂ）在所述步骤（ａ）之后，通过使切片刀沿着所述划片区行进切割所述半导体晶片，以便将所述晶片划分成分开的各个器件区，其中，所述半导体晶片的所述器件区中的每一个都包括在所述主面上形成的多个半导体元件、覆盖所述半导体元件地形成的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上形成的最上布线层、为所述最上布线层形成且与所述半导体元件电耦合的多个端子、和覆盖所述最上布线...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：古川胜悦，中山悟，镰田省吾，清藤繁光，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP