支撑与握持半导体晶片的支撑结构的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种支撑与握持包括垂直型场效应晶体管形成于其前侧表面的半导体晶片的支撑结构的形成方法。于一实施例中，提供具有一前侧表面与一后侧表面的一半导体晶片，其中该前侧表面包括为多个切割道所分隔的一个或多个芯片。自后侧表面薄化上述半导体晶片至一既定厚度。形成多个图案化金属构件于经薄化的后侧表面上以支撑上述半导体晶片，其中此些图案化金属构件分别大体覆盖一芯片且大体未覆盖此些切割线。沿此些切割线切割上述半导体晶片，以分隔用此一个或多个芯片用于后续芯片封装之用。本发明专利技术可降低于晶片握持、传输、加工与切割时的晶片毁损风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的制作，且特别涉及具有较低开启电阻(reduced on-resistance)的半导体电源装置(semiconductor power devices)及其制造方法。
技术介绍
基板串联电阻(substrate series resistance)代表了垂直型电源装置 (vertical power device)内的整体装置开启电阻的一显著部分。目前用于降低基板串联 电阻的制造方法是于晶片的前侧表面上制作完成所需电路图案之后，通过研磨去除位于晶 片后侧的材料而达成。然而，基于晶片后侧的材料的继续研磨去除增加了晶片的风险，晶片 于厚度削减(薄化)工艺中所产生应力可能导致其破裂或碎裂，因此最终晶片厚度便受到 限制。再者，自晶片后侧移除太多的材料则增加了晶片的风险，于晶片握持时产生破裂或碎 裂。图1部分显示了一半导体晶片110的一简化剖面图，其具有形成于邻近半导体晶片110 的前侧表面120的栅极电极与源极电极以及形成于邻近半导体晶片110的后侧表面130的 漏极电极的一垂直型电源场效应晶体管(vertical power FET)。其中X代表了此具有源极 电本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种支撑与握持半导体晶片的支撑结构的形成方法，包括：提供具有一前侧表面与一后侧表面的一半导体晶片，其中该前侧表面包括为多个切割道所分隔的一个或多个芯片；自该后侧表面薄化该半导体晶片至一既定厚度；形成多个图案化金属构件于经薄化的该后侧表面上以支撑该半导体晶片，其中所述多个图案化金属构件分别大体覆盖一芯片且大体未覆盖所述多个切割线；以及沿所述多个切割线切割该半导体晶片，以分隔所述一个或多个芯片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·卡尼斯基，段孝勤，韩良恺，曾铕寪，谢元智，林宏桦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71