【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及切割半导体晶片来形成单个芯片的加工方法。
技术介绍
在背面研磨工序后进行的晶片单片化工序(以下称切割工序)中,目前晶片电路形成面为裸露的状态。因此,前提为,切割时的切削水、由晶片切削所产生的切削碎屑等粉尘等附着于电路形成面,暴露的电子部件表面的电路形成面被污染。由于这种污染,有可能引起不良。在该情况下,考虑将保护胶带贴附于晶片的电路形成面,将晶片与保护胶带一起切割,从而保护电子部件以免受切削碎屑等粉尘等的影响。然而,用现有的保护胶带难以从单片化了的晶片分别剥离除去保护胶带,因此没有实现实用化。进而,近年来,半导体晶片向薄型化(50nm以下)发展。作为其理由,可列举出在制作使用了半导体晶片的器件时提高器件的散热性、改进电特性、降低电力消耗、小型化。在磨削和研磨(背面研磨)半导体晶片的工序中,一般使用磨削保护胶带(背面研磨胶带)。 背面研磨胶带用于在保护半导体晶片的图案表面且保持半导体晶片的同时磨削半导体晶片的背面,使半导体晶片减薄。削薄的半导体晶片置于切割胶带上,暂时固定,在剥下背面研磨胶带之后切断为小片。为了回收小片化的半导体晶片的芯片,需要从切 ...
【技术保护点】
1.一种加工方法,所述方法为将切割用表面保护片贴附于半导体晶片,并且将切割胶带贴附在该晶片的背面侧,然后将该晶片与切割用表面保护片一起小片化来形成芯片,其特征在于,给予该切割用表面保护片刺激来产生收缩应力,从而使芯片的一部分从切割胶带剥离,此后,将该芯片从切割胶带剥离。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:杉村敏正,西尾昭德,木内一之,
申请(专利权)人:日东电工株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
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