【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在将保护膜覆盖于晶片的表面并对晶片的背面进行磨削后，将保护膜剥离并将晶片分割成芯片的。
技术介绍
关于在表面形成有 IC(Integrated Circuit :集成电路)、LSI (large scale integration 大规模集成电路)等器件的晶片，在通过磨削装置磨削背面而形成为预定厚度后，通过切割装置等分割成一个个器件，并应用于各种电子设备等。在对晶片的背面进行磨削时，为了保护器件，在晶片的表面粘贴保护带等保护部件。然后，在磨削装置中，在将保护带侧保持于卡盘工作台的状态下对晶片的背面进行磨削，使晶片形成为例如100 μ m的厚度。在这样对晶片的背面进行了磨削后，将晶片的背面粘贴于切割带，并且在晶片的外周侧将环状的框架粘贴于切割带。然后，在将保护带从晶片的表面剥离后，将晶片在经由切割带支承于框架的状态下分割成一个个器件(例如参照专利文献1)。专利文献1 日本特开2005-86074号公报但是，在将保护带从背面粘贴于切割带的晶片的表面剥离时，由于晶片通过磨削而变得很薄，因此存在晶片有可能在剥离时损伤的问题。即便使用紫外线硬化型的保护带作为...
【技术保护点】
１．一种晶片的加工方法，其将在表面形成有多个器件的晶片分割成一个个器件，其特征在于，所述晶片的加工方法包括以下工序：保护膜覆盖工序，在该保护膜覆盖工序中，将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片的表面，并对所述液态树脂照射紫外线以使该液态树脂硬化，从而在所述晶片的表面覆盖保护膜；晶片磨削工序，在该晶片磨削工序中，将所述晶片的所述保护膜侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对所述晶片的背面进行磨削，从而使所述晶片形成为预期的厚度；切割带改贴工序，在该切割带改贴工序中，将所述晶片的背面粘贴于切割带，并且将具有能够收纳所述晶片的开口部的环状的框架粘贴...
【技术特征摘要】
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