一种支持芯片位置受约束限制的多项目晶圆切割方法技术

本发明专利技术公开了一种支持芯片位置受约束限制的多项目晶圆切割方法，根据实际生产测试要求对芯片在掩模板上进行了相对和绝对位置的约束，重新调整定义布局规划方法中模拟退火算法的总目标方程，同时，通过将大小相同或相似的需要被放置在相邻位置的芯片归属于同一个版图分组，保证了同个版图分组内的芯片或子版图分组在最终的布局规划中始终处于相邻的位置，有效地减少了模拟退火算法的迭代次数与时间，实现了芯片在特定位置约束限制下布局规划的自动化，且大大缩小了掩模板的面积，使得一个晶圆上可以切割划分出更多个掩模板，大大降低相应的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆切割方法，具体涉及一种支持芯片位置受约束限制的多项目晶圆 切割方法。
技术介绍
多项目晶圆(Multi Project Wafer，简称MPW)，就是将多种具有相同工艺的集成 电路设计放在同一个掩模板(Reticle/Mask，也称为光罩)上流片，制造完成后，每个设计 项目可以得到数十片芯片样品，这一数量对于原型(Prototype)设计阶段的实验、测试已 经足够了。而该次制造费用就由所有参加多项目晶圆的项目按照各自所占的芯片面积分 摊，成本仅为分别对单个项目进行原型制造成本的5% _10%，极大地降低了产品开发风 险、培养集成电路设计人才的门槛和中小集成电路设计企业在起步时的门槛。在实际的晶圆生产过程中，晶圆的整个区域被划分为多个相同的Reticle，每个 Reticle上的芯片排布通常相同。通常来说，给定一个既定的芯片集合，优化的目标是使 得这些芯片排布组合而成的Reticle面积最小，这个过程被称为布局规划(Floorplan)， 可以通过手动或自动化程序来完成。R. H. J.M. Otten在标题为Automatic Floorplan Design(P本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种支持芯片位置受约束限制的多项目晶圆切割方法，包括：（１）获取芯片的个数、面积以及位置摆放的信息；（２）根据步骤（１）中芯片的位置摆放信息，将形状大小相同或相似需要被放置在相邻位置的芯片归属于同一个子版图分组，将形状大小相同或相似需要被放置在相邻位置的芯片与子版图分组或者子版图分组与子版图分组归属于一个父版图分组，并构建对应的层次化版图分组信息；（３）根据步骤（１）中芯片的位置摆放信息，获取需要被放置在特定位置的芯片或芯片版图分组在整个掩模板内部坐标系中的相对位置约束信息和绝对位置约束信息；（４）根据步骤（２）中的分组信息构建层次化的区块信息，每个芯片或者芯片版图分组都被看成为一个区块，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶翼，张波，任杰，郑勇军，马铁中，
申请(专利权)人：杭州广立微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：86