本发明提供了一种多路地址寄存器，包括计数器逻辑、移位器逻辑、多路复用器、选择寻址模块和时钟边沿触发器；所述多路复用器至少设有两个；所述时钟边沿触发器设有多个，包括：第一时钟边沿触发器用于接收地址信号，第二时钟边沿触发器用于接收寻址方式选...

本发明提供一种用于晶圆级参数测试的高精度、高测试速度的并行测试系统及其测试方法,具体提供一种并行测试系统，包括主控制器、存储模块、公共总线和至少一个测量模块，主控制器、存储模块和测量模块都连接到公共总线；所述并行测试系统还设有调度模块，...

本实用新型提供一种链式电阻测试结构及测试系统，包括至少一个测试单元；所述测试单元包括至少两条测试链；每条测试链包括至少一个位于第一电介质层的第一导电结构、至少一个位于第二电介质层的第二导电结构和至少一个连接结构，第一导电结构与第二导电结...

本实用新型提供一种应用于FinFET工艺中探测边缘鳍晶格失配的测试结构，所述测试结构基于晶体管结构而成，包括衬底、源极、漏极、若干个栅极、若干个鳍及至少两个连接层；所有鳍沿Y方向分布且相互平行，所有栅极沿X方向等间距分布且相互平行，单个...

本申请提供一种用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构及方法，该测试结构包括晶体管测试区和密度控制区；密度控制区设有多个有源区密度相同的基本单元，能通过设置不同数量比例的P型单元和N型单元，实现对测试结构中目标外延层密度的控制；晶体管...

本实用新型提供一种应用于半导体制造工艺中用于监控CT和Via的接触电阻Rc失配性的测试结构；提供一种用于监控接触结构间差异性的测试结构，包括N个接触结构，N为不小于2的自然数；第一电介质层中有至少一个第一导电结构，第二电介质层中有至少一...

本实用新型提供一种应用于FinFET工艺中，利用电性测试来有效监控EPI大小的测试结构，该测试结构包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍(Fin)，第一根鳍和/或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘；所述鳍上横跨有至少两根依次相邻...

本发明一种针对WAT数据快速生成图表报告的系统，包括分布式系统、Web服务器和应用程序；分布式系统能进行数据存储，还能根据收到的配置项信息进行计算，得到计算结果后发送给Web服务器；Web服务器能接收应用程序发来的配置项信息并进行解析后...

本发明涉及一种用于探针台的测试头，与载台和探针卡配合使用，包括盖板、固定框架、接口板、针塔和盒体；接口板上设有接头和向下的连接点，连接点与接头电连接，接口板与固定框架安装固定；针塔安装在固定框架下，针塔设置有针孔，针孔内安装有弹簧针，弹...

本发明涉及一种对待测阵列中的晶体管逐个进行版图布线的方法，包括预处理过程和布线过程；通过预处理过程确定将候选器件与金属框对应并确定其位置；通过布线过程对待测器件的每个引脚进行布线。本发明能在对待测器件逐个进行处理和布线的同时，保证布线质...

本发明提供一种快速删除GDSII文件中晶体管数据的方法，在删除Cell之前，构建双向图，基于拓扑排序算法，先删除Cell的相关路径，同时收集需要删除的Cell集合，最后再删除这个Cell集合，从而提升效率。

本发明提供一种MOL工艺中晶体管引脚提取和绕线的方法，先将目标器件与其他器件进行隔离，保证测试器件不受周边器件电参数的影响，然后，遍历所有连接引脚的可能位置，并自动、快速定位到最优连接点。

本发明涉及一种可重构的全数字温度传感器及其应用，可重构的全数字温度传感器包括一个与非门和K个延时单元；与非门包括两个输入端和一个输出端，其中一个输入端用于外接启动控制信号；K个延时单元串联连接，且第一个延时单元的输入端连接到与非门的输出...

本发明涉及一种分布式SRAM失效分析方法及其系统。一种分布式SRAM失效分析方法，该方法包括以下步骤：A、获取SRAM测试数据结果作为原始数据并对其进行失效分析，得到失效分析结果数据；B、对分析结果数据按预设的二进制编码规则进行二进制编...

本发明涉及一种基于稀疏网格的自动版图布线生成方法，包括以下步骤：1、初始化设置；2、获取布线信息；3、网格划分；4、网格状态标记；5、布线；6、查询是否还有待布线的元器件，若有，则至步骤(2)重复执行直至完成所有版图布线。本发明能根据不...

本发明涉及一种可重构的全数字温度传感器及测温方法。一种可重构的全数字温度传感器，包括一个与非门和K个延时单元；与非门包括两个输入端和一个输出端，其中一个输入端用于外接启动控制信号；K个延时单元和与非门串联连接，且第一个延时单元的输入端连...

本发明提供一种多层绕线的方法及系统，用于解决集成电路三维绕线中存在的绕线碰撞问题,绕线方法体包括下述步骤：步骤（1）：初始化绕线信息；步骤（2）：创建绕线轨迹和节点；步骤（3）：布线；步骤（4）：绕线结束判断；对于使用不同绕线宽度和绕线...

本发明涉及一种基于曲线数据的异常检测方法及系统，具体包括以下步骤：步骤（1）：第一级异常检测；将曲线数据输入训练好的AE模型进行异常检测，获取瓶颈层的k维数据和实际输出数据，并利用损失函数计算实际输出数据的loss值；步骤（2）：第二级...

本发明涉及一种基于RFID读取针卡信息的系统及测试头，包括RFID读写器、电子标签和天线，其特征在于，与测试头和探针卡配合使用；所述电子标签安装在探针卡上，电子标签用于存储探针卡的信息；所述RFID读写器和天线安装在测试头中，且RFID...

本发明提供应用于FinFET工艺中探测晶体管边缘鳍形变的测试结构，并基于该测试结构提供一种测试方法，用于检测FinFET工艺特点所导致边缘鳍的弯曲问题；用于FinFET工艺中探测边缘鳍形变的测试结构，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互...